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背向散射法是一種被測(cè)件DUT前一點(diǎn)的光功率作為測(cè)量回?fù)p（RL）的入射光功率,，進(jìn)而獲得RL值。時(shí)域曲線包含光纖沿線損耗分布,，插損值可通過(guò)DUT前后回?fù)p值計(jì)算得到,，公式為：IL=(RL?-RL?)/2。以測(cè)量一根光纖跳線為例,，在中間位置彎曲,，測(cè)量結(jié)果如下：光頻域反射技術(shù)（OFDR）可通過(guò)背向散射法測(cè)量整段光纖的回?fù)p曲線，利用回?fù)p和插損之間的關(guān)系可以得到整條曲線各個(gè)點(diǎn)的損耗,。

光頻域反射技術(shù)（OFDR）可通過(guò)背向散射法測(cè)量整段光纖的回?fù)p曲線,，利用回?fù)p和插損之間的關(guān)系可以得到整條曲線各個(gè)點(diǎn)的損耗。

圖1. 背向散射法測(cè)量原理

如圖1所示,，假定p0為設(shè)備出光口光功率,，DUT前后測(cè)量位置為1、2,，其對(duì)應(yīng)的光功率分別為P₁,、P₂，對(duì)應(yīng)的散射系數(shù)分別為α₁,、α₂,，則其對(duì)應(yīng)的反射光功率分別為：Pr₁=P₁×α₁,、Pr₂=P₂×α₂。

DUT的插損為：IL=-10lg （P₂/P₁）

看1,、2處的回?fù)p分別為：RL₁=-10lg(Pr₁/P₀),、RL₂=-10lg(Pr₂/P₀)。當(dāng)1,、2處光纖的散射系數(shù)相同時(shí),，可推導(dǎo)出IL=(RL₁-RL₂)/2（背向散射法是反射式測(cè)量，光信號(hào)往返兩次經(jīng)過(guò)DUT,，因此除以2）,。

使用OCI測(cè)試3dB耦合器損耗的裝置如下圖所示，將3dB耦合器的進(jìn)光口接入OCI儀器,，進(jìn)光口和出光口光路的光纖長(zhǎng)度都約為1m,。

下圖為使用OCI測(cè)試3dB耦合器的測(cè)試曲線，對(duì)紅線和黃線周圍10cm區(qū)域進(jìn)行積分可以看出,，3dB耦合器前后位置的回?fù)p分別為-83.11dB和-86.58dB,，因?yàn)槭欠瓷涫綔y(cè)量，光信號(hào)往返兩次需要除以2,，因此測(cè)得的損耗為1.71dB,，和實(shí)際情況不符。出現(xiàn)上述情況是由于2個(gè)出光路的反射信號(hào)疊加到不能單獨(dú)測(cè)試出每個(gè)分支的損耗情況,。

3dB耦合器阻斷一路信號(hào)測(cè)試：

針對(duì)上訴出現(xiàn)的問(wèn)題,，改變測(cè)試裝置，如下圖所示,，將3dB耦合器的一路出光分支打結(jié),，阻斷光信號(hào)，讓該出光路沒(méi)有反射信號(hào),，在使用OCI分別測(cè)試,，斷開(kāi)出光口光路1和光路2。

下圖為測(cè)試曲線圖,，按照先前回?fù)p測(cè)試方法可以得出3dB耦合器的2個(gè)出光路插損分別為3.18dB和2.98dB,，2個(gè)出光路的實(shí)際分光比為49.1:50.9，經(jīng)計(jì)算可得實(shí)際損耗為3.09dB和2.93dB,，測(cè)試結(jié)果和實(shí)際相符,。

圖5. OCI斷路法測(cè)試3dB耦合器曲線圖

其他比例耦合器阻斷一路信號(hào)測(cè)試：

按照上訴測(cè)量方法，分別測(cè)試1:9耦合器和2:8耦合器的損耗情況,。1:9耦合器的2個(gè)出光路插損分別為10.17dB和0.60dB,，2個(gè)出光路的實(shí)際分光比為9.3:90.7，經(jīng)計(jì)算可得實(shí)際損耗為10.32dB和0.42dB,，測(cè)試結(jié)果和實(shí)際相符,。

圖6. OCI斷路法測(cè)試1:9耦合器曲線圖

2:8耦合器的2個(gè)出光路插損分別為6.99dB和1.05dB,，2個(gè)出光路的實(shí)際分光比為19.4:80.6，經(jīng)計(jì)算可得實(shí)際損耗為7.12dB和0.94dB,，測(cè)試結(jié)果和實(shí)際相符,。