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產(chǎn)品型號PHI 710

品牌ULVAC-PHI

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地上海市

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更新時間：2024-10-28 09:09:19瀏覽次數(shù)：370次

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產(chǎn)品分類品牌分類

分析儀器: 結晶分析儀流動分析儀/流動注射分析儀水分測定儀膠粘及復合材料分析儀分散體系分析儀穩(wěn)定性分析儀分離性質(zhì)分析儀實驗室SAXS系統(tǒng) 閃電和燃燒點測試儀燃燒試驗箱氧指數(shù)測定儀煙密度測試儀逸出氣聯(lián)用分析系統(tǒng) 介電常數(shù)測定儀炭黑含量測試儀熱分析儀材料甲醛分析儀 X射線儀器電化學分析儀色譜、質(zhì)譜,、光譜,、波譜元素分析儀粒度儀粉體設備

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地類別	進口	價格區(qū)間	面議
應用領域	綜合

俄歇電子能譜儀
PHI公司的PHI 710掃描俄歇納米探針是一臺設計的高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器。該設備能分析納米級特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結構表界面的元素態(tài)和化學態(tài)信息,。

詳情介紹

俄歇電子能譜儀

產(chǎn)品特點
PHI公司的PHI 710掃描俄歇納米探針是一臺設計的高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器,。該設備能分析納米級特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結構表界面的元素態(tài)和化學態(tài)信息。
詳細介紹
PHI公司的PHI 710掃描俄歇納米探針是一臺設計的高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器,。該設備能分析納米級特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結構表界面的元素態(tài)和化學態(tài)信息,。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀, PHI 710可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
PHI710主要特點：
SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
在俄歇能譜的采集分析過程中，包括譜圖,，深度剖析及元素分布像,，需要先在SEM圖像上定義樣品分析區(qū)域，必然要求束斑直徑小且穩(wěn)定,。PHI 710的SEM圖像的空間分辨率優(yōu)于3nm,AES的空間分辨率優(yōu)于8nm(@20kV,1nA),如下圖所示：
圖2則是關于鑄鐵韌性斷裂的界面分析,，左邊是SEM圖像,中間是鈣、鎂,、鈦的俄歇成像,右邊則是硫的俄歇成像,這充分證明了PHI 710在納米級尺度下的化學態(tài)的分析能力。
同軸筒鏡分析器（CMA）：
PHI 公司電子設備和分析器同軸的幾何設計,具有靈敏度高和視線無遮攔的特點,滿足了現(xiàn)實復雜樣品對俄歇分析多方面表征能力的需求,。如上圖所示,所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個方向收集而來,成像沒有陰影,。
若設備配備的不是同軸分析器,則儀器的靈敏度會降低,并且成像有陰影,一些分析區(qū)域會由于位置的原因,而無法分析。如果想要得到高靈敏度,只能分析正對著分析器的區(qū)域,。如下圖所示,若需要對顆粒的背面,顆粒與顆粒之間的區(qū)域分析,圖像會有陰影,。
俄歇能譜儀的化學態(tài)成像：
圖譜成像
PHI710能從俄歇成像分析的每個像素點中提取出譜圖的相關信息,該功能可以實現(xiàn)化學態(tài)成像。
高能量分辨率俄歇成分像
下圖是半導體芯片測試分析,測試的元素是Si,。通過對Si的俄歇影像進行線性小二乘法擬合（LLS）,俄歇譜圖很清楚的反映出了三個Si的不同化學態(tài)的區(qū)域,分別是：單質(zhì)硅,、氮氧化硅和金屬硅,并且可以從中分別提取出對應的Si的俄歇譜圖,如第三行三張圖所示。
納米級的薄膜分析
如下SEM圖像中,以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷,這是由于退火后,在界面處形成了硅鎳化合物,。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設定了一個分析點,分析條件為高能量分辨率模式下（0.1%）,電子束直徑20nm,離子設備采用0.5kV設定,如下圖所示:在MultiPak軟件中,采取小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物,同樣區(qū)分金屬硅和硅化物,。可以看出,硅鎳化合物只存在于界面處,而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在,。但是,在鎳涂層的缺陷處,發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物,。
PHI SmartSoft-AES用戶界面：PHI SmartSoft是一個從用戶需求出發(fā)而設計的軟件。該軟件通過任務導向的方式指引用戶導入樣品,定義分析點,并設置分析條件,可以讓新手快速,方便地測試樣品,并且用戶可以很方便的重復之前的測量,。
PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件：MultiPak軟件擁有多方面的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫,。采譜分析,線掃描分析,成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來處理。軟件強大的功能包括譜峰的定位,化學態(tài)信息及檢測限的提取,定量測試和圖像的增強等,。

選配件：
1.  真空室內(nèi)原位樣品泊放臺,；
2.  原位脆斷；
3.   真空傳送管,；
4.  預抽室導航相機,；
5.   電子能量色散探測器（EDS）；
6.   電子背散射衍射探測器（EBSD）,；
7.   背散射電子探測器（BSE）,；
8.   聚焦離子束（FIB）；
應用領域：
•半導體器件:缺陷分析,、蝕刻／清潔殘余物分析,、短路問題分析、接觸污染物分析,、界面擴散現(xiàn)象分析,、封裝問題分析,、FIB器件分析等。
•顯示器組件:缺陷分析,、蝕刻／清潔殘余物分析,、短路問題分析、接觸污染物分析,、接口擴散現(xiàn)象分析等,。
•磁性存儲器件:表面多層、表面元素,、界面擴散分析,、孔洞缺陷分析、表面污染物分析,、磁頭缺陷分析,、殘余物分析等。
•金屬,、合金,、玻璃及陶瓷材料：表面沉積物分析、清潔污染物分析,、晶間晶界分析等,。