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EC-80P日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號 EC-80P
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 深圳市

更新時間:2020-11-18 17:12:32瀏覽次數(shù):1064

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【簡單介紹】
產(chǎn)地類別 進口 類型 指針式電阻測試儀
應用領域 電子,航天,汽車,電氣
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
只需觸摸手持式探頭即可測量電阻,。
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設置測量條件
連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
(電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

 

 

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關(硅,,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,,DLC,,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,,ITO等)
硅基外延,,離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,,InP,,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

測量尺寸

無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

 

*有關每種探頭類型的測量范圍,,請參閱以下內(nèi)容,。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關(硅,,多晶硅,,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,,石墨烯,,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,,GaN Epi,,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

測量尺寸

無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,,大于20mmφ且表面平坦)

 

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

 

*有關每種探頭類型的測量范圍,,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0,。 2至15Ω-cm)

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀



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