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VACUUM DEVICE磁控濺射沉積設(shè)備的使用流程
2022-11-30 閱讀(990)
VACUUM DEVICE磁控濺射沉積設(shè)備的使用流程
產(chǎn)生等離子體的氣體
氬氣主要用作真空設(shè)備中產(chǎn)生等離子體所必需的氣源,。
使用氬氣是因?yàn)樗哂卸栊裕灰着c其他元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，濺射率高,。
它的另一個特點(diǎn)是廣泛使用價格低廉的高純度氣體,。
第一次電離
當(dāng)在電極之間施加超過一定水平的電壓時，熱電子從陽極側(cè)發(fā)射,。
當(dāng)這些熱電子與氬氣碰撞時,，更多的電子在連鎖反應(yīng)中一個接一個地被射出并電離，使氬氣變成正離子,。這時,，電離的電子在試圖恢復(fù)到原來的狀態(tài)時會發(fā)光。這就是等離子看起來有光澤的原因,。
磁控管等離子體狀態(tài)
在等離子體中,，預(yù)電離的氬原子、發(fā)射的電子和正電離的氬原子處于不穩(wěn)定和混亂的狀態(tài),。 發(fā)射出的電子被磁控管的磁力線俘獲,，一邊反復(fù)做圓周運(yùn)動，一邊與氬氣分子一個接一個地反復(fù)碰撞,。磁控管的濺射效率好,，是因?yàn)殡娮颖淮艌霾东@，促進(jìn)了氬氣的電離,。 磁控濺射的等離子體局部明亮,，因?yàn)槟抢锎艌黾校?jīng)常發(fā)生電離,。
濺射
正電離的氬氣被吸引到帶負(fù)電的靶表面并與其高速碰撞,。
靶材金屬粒子因與靶材的碰撞力而濺射而出。 噴射出的目標(biāo)金屬顆粒在與氣體分子碰撞的同時到達(dá)樣品,。 當(dāng)金屬顆粒相互碰撞時，一些顆粒會生長,。 將粉雪落在樣本上的圖像是個好主意,。 最終到達(dá)樣品的金屬顆粒一個接一個聚集形成薄膜。 由于粒徑因金屬的種類而異,，因此需要選擇適合的金屬來制作所需的薄膜,。
概括
在等離子體中，氣體分子和負(fù)離子處于不穩(wěn)定狀態(tài),。
當(dāng)電離的負(fù)離子試圖恢復(fù)到原來的狀態(tài)時發(fā)光,。
加上正離子與負(fù)靶碰撞。
散落的目標(biāo)金屬顆粒與氣體分子碰撞并聚集在樣品上,。
不同的金屬有不同的粒徑,。
相關(guān)產(chǎn)品介紹
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 | MSP-mini 超小型濺射設(shè)備 對于光學(xué)顯微鏡，這是適合制作有光澤的 Ag 薄膜以及 SEM 和臺式 SEM 預(yù)處理的裝置,。 |    |
 | MSP-1S 是一款帶有內(nèi)置泵的緊湊型濺射系統(tǒng),。 也可用于濺射鉑靶,，可用于高達(dá)約50,000倍的高倍率觀察。 |   |
| 設(shè)備 | 特征 | 目標(biāo)金屬 |
 | MSP-20UM 針對各種應(yīng)用的可調(diào)功能,。設(shè)置條件后,，可以使用全自動按鈕進(jìn)行自動沉積。 可選傾斜旋轉(zhuǎn)樣品臺,。提高轉(zhuǎn)彎性能,。 配備氬氣導(dǎo)入，可鍍上更高純度的貴金屬薄膜,。 聯(lián)鎖和安全機(jī)構(gòu)也是重要的濺射設(shè)備,。 |      |
 | MSP- 20MT 配備φ100mm尺寸的靶電極的4英寸晶圓用濺射裝置。 該設(shè)備概念基于 MSP-20,，可對更廣泛的樣品進(jìn)行涂層,。 | |
 | 該設(shè)備專為MSP-20TK鎢濺射而開發(fā)。它還可用于超高分辨率 SEM 觀察,。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬,。 氬氣用作氣氛氣體。風(fēng)冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升,。 |        |
| 設(shè)備 | 特征 | 目標(biāo)金屬 |
 | 采用磁控靶電極實(shí)現(xiàn)了直徑200mm的大面積樣品臺,，滿足更大尺寸MSP-8in硅基板的需求。更大的樣品臺可同時鍍膜8英寸晶圓和多個SEM樣品,，提高檢測工作效率,。 |      |
 | 采用磁控靶電極實(shí)現(xiàn)了直徑300mm的大面積樣品臺，滿足更大尺寸MSP-12in硅基板的需求,。更大的樣品臺可同時鍍膜12英寸晶圓和多個SEM樣品,，提高檢測工作效率。 | |
| 設(shè)備 | 特征 | 目標(biāo)金屬 |
 | MSP-40T 多用途實(shí)驗(yàn)沉積系統(tǒng),。新型號配備了全自動沉積功能,。 高效沉積，高速排氣,，操作簡單,。使用強(qiáng)磁場可以形成多金屬膜。 渦輪泵和隔膜泵可實(shí)現(xiàn)清潔的高真空,。是一款價格低廉,，性價比好的設(shè)備。 沉積靶材：Au,、Ag,、Pt、Au-Pd、Pd,、Cu,、Cr、Pt-Pd,、Ni,、Fe、W,、Mo,、Ta、Ti,、Al,、ITO等。 可以濺射各種金屬靶材,。對于未列出的目標(biāo),，請隨時與我們聯(lián)系。 |                |
