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電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

深圳市恒創(chuàng)億科技有限公司  ：

概述

CLR6212SQA是一款內(nèi)置N型功率MOSFET的同步整流控制器,。適用于DCM和QR工作模式的電源系統(tǒng)。用于替換反激系統(tǒng)中次級(jí)整流肖特基二極管,。CLR6212SQA內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高系統(tǒng)效率并降低同步整流芯片溫度,。內(nèi)置MOSFET工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，當(dāng)芯片檢測(cè)到VSW<-300mV時(shí)MOSFET打開(kāi),，當(dāng)芯片檢測(cè)到VSW>-5mV時(shí)MOSFET關(guān)閉,。芯片zui大限度地減少了系統(tǒng)元件數(shù)目并采用SOP8封裝，這些使得CLR6212SQA能夠減小系統(tǒng)所占空間,。

電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

特性

◆ 內(nèi)置12mΩ(Typ.) 45V N-MOSFET

◆ 適用于DCM和QR工作模式

◆ 消除諧振干擾

◆ 連接簡(jiǎn)單,，外圍器件少

◆ 欠壓保護(hù)（UVLO）

應(yīng)用范圍

◆ 電池充電器和適配器

封裝形式：

CLR6212SQA采用SOP8封裝

電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

典型應(yīng)用

打標(biāo)說(shuō)明及管腳分布

管腳描述

zui大額定值(注1)

參數(shù)范圍

VDD腳電壓-0.3 V to 9V

VSW腳電壓-2V to 45V

功耗2.5W

zui低/zui高存儲(chǔ)溫度Tstg -65 ℃to 150 ℃

工作結(jié)溫范圍-40 ℃to 150 ℃

封裝耗散等級(jí)

封裝RθJA (℃/W)

SOP8 90

注1: 超出“zui大額定值”可能損毀器件,。長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行在zui大額定條件下可能會(huì)影響器件的可靠性。

*工作范圍

符號(hào)參數(shù)范圍單位

SW 20~45 V

VDD 7~9 V

Operation Junction Temp -40~125 ℃

電氣特性（注2）

(如果沒(méi)有特殊說(shuō)明,環(huán)境溫度= 25℃)

符號(hào)參數(shù)測(cè)試條件zui小值典型值z(mì)ui大值單位

電源電壓(VCC電壓)

VUVLO VDD欠壓保護(hù)閾值電壓3.6 V

VDD VDD電壓VSW=40V,，CvDD=0.1uF 7.8 V

IOP VDD工作電流VDD=6V,，CvDD=0.1uF 44 56 68 uA

VDD_START 啟動(dòng)管充電電壓3.85 V

SW端電壓檢測(cè)

VTH_ON 檢測(cè)VSW腳開(kāi)啟閾值-300 mV

VTH_OFF 檢測(cè)VSW腳關(guān)斷閾值-5 mV

TON_DELAY 開(kāi)通延遲190 ns

TOFF_DELAY 關(guān)斷延遲10 ns

TB MOS開(kāi)啟消隱時(shí)間500 ns

TOFF_MIN MOSzui小關(guān)斷時(shí)間2.5 us

功率管

Rdson 功率管導(dǎo)通阻抗VGS=4.5V,IDS=30A 12 17 mΩ

BVdss 功率管擊穿電壓VGS=0V,IDS=250uA 45 V

注2:典型參數(shù)值為25℃下測(cè)試得到的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

使用說(shuō)明

CLR6212SQA是一款高集成度的同步整流控制芯片,，內(nèi)置電壓降極低的N-MOSFET,，可以提高系統(tǒng)效率。

●啟動(dòng)

CLR6212SQA具有UVLO功能,，當(dāng)VDD電壓高于VDD_START,，IC從鎖存模式切換到正常工作模式，當(dāng)VDD電壓低

于VUVLO(ON),IC再次進(jìn)入鎖存模式,，此時(shí)MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被拉低,。

●同步工作模式

芯片通過(guò)檢測(cè)VSW來(lái)控制功率MOSFET的開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)同步整流功能。當(dāng)芯片檢測(cè)到VSW<-300mV時(shí),，MOSFET打開(kāi),，

副邊開(kāi)始續(xù)流，MOSFET的導(dǎo)通壓降會(huì)使得VSW電位線性升高,，當(dāng)芯片檢測(cè)到VSW>-5mV時(shí)MOSFET的GATE電位在

TOFF_DELAY后變低，MOSFET關(guān)閉,。

●消隱時(shí)間

當(dāng)功率MOSFET打開(kāi)時(shí),，副邊漏感和MOSFET的輸出電容產(chǎn)生振蕩，容易使VSW的電壓大于-5mV,，引起MOSFET

的誤關(guān)斷,，為了避免該現(xiàn)象，芯片內(nèi)部設(shè)定一個(gè)固定的消隱時(shí)間,，在消隱時(shí)間內(nèi)即使VSW大于-5mV,，MOSFET也不會(huì)

誤關(guān)斷。

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封裝說(shuō)明：SOP8