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一、概述

       日本巖崎BH分析儀,，軟磁材料測試儀SY-8219/SY-8218 磁特性的磁通密度B（以T為單位）,，磁場強(qiáng)度H（為A/m為單位）采用普遍的X-Y軸，這里被描述的曲線稱為B-H曲線,。作為測量B-H曲線的方法,，有直流的評(píng)估方法和交流的評(píng)估方法。

二,、測試方法

       Iwatsu的BH分析儀采用CROSS-POWER方法（IEC62044-3）,，可實(shí)現(xiàn)精確,，高精度的測量，在頻譜上嵌入min小化的相位誤差積分,，電流檢測電阻和檢測電路補(bǔ)償,，幅度和相位補(bǔ)償。

       半導(dǎo)體曲線圖示儀 CS3100/3200/3300（峰值電壓3000V,，峰值電流1000A）, CS5000系列（峰值電壓5000V,，峰值電流1000A），CS10000系列（峰值電壓10KV,，峰值電流8000A）,，適用于IGBT、MOSFET,、三極管,、二極管等各種半導(dǎo)體特性測試的標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)，采用電路圖模式顯示內(nèi)部的配線狀態(tài),，可通過確認(rèn)實(shí)際波形,，適時(shí)調(diào)整脈寬和測試點(diǎn)。具有能確認(rèn)實(shí)際印加電流/電壓波形的Wave模式,，可以像示波器一樣通過觀測模塊上實(shí)際印加的波形 （電流,、電壓）來確定脈寬和實(shí)際測試點(diǎn) （MEASUREMENT POINT），可通過確認(rèn)實(shí)際波形,，適時(shí)調(diào)整脈寬和測試點(diǎn),，避免了示波器的探棒影響，可確認(rèn)到實(shí)時(shí)的異常信號(hào),，可非常容易地確認(rèn)到模塊發(fā)熱等引起的振蕩等熱異常情況,。

       隔離探針在通過光學(xué)隔離隔離輸入/輸出端子的系統(tǒng)中，在高電壓環(huán)境下以高分辨率和安全方式執(zhí)行波形測量有助于高壓環(huán)境測試的安全性使用差分探頭提高測量質(zhì)量,，非常有效地測量抗噪性,，支持各種物體，如雷擊浪涌和充電測試等,，測量遠(yuǎn)點(diǎn)（開關(guān),，運(yùn)輸設(shè)備等），分析在遠(yuǎn)處發(fā)生多次異常操作時(shí)的故障因素,，（隔離單元可以設(shè)置在每個(gè)地方,，總共多達(dá)4套）

三、特點(diǎn)

1,、實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高精度測量采用標(biāo)準(zhǔn)的校準(zhǔn)電阻,，壓粉鐵芯等的鐵損極為小的材料也有可能穩(wěn)定并高精度測量。

2,、采集的波形資料,，本產(chǎn)品以8192點(diǎn)周速率采集的波形數(shù)據(jù),，是本公司比之過去的16倍，能夠高精度地測量矯頑磁力和剩余磁通密度等,。

3,、標(biāo)準(zhǔn)配置作業(yè)靠近脈沖勵(lì)磁可選擇性地在正弦波勵(lì)磁加上標(biāo)準(zhǔn)裝備脈沖勵(lì)磁（可達(dá)1MHz、50%占空比）,。

4,、配置可比較參數(shù)的設(shè)置能夠比較不同測量條件下同一產(chǎn)品的的B-H曲線。

5,、裝載兩種類型的游標(biāo)顯示任意點(diǎn)的測量值,、導(dǎo)磁率用可能十字和傾斜的兩種光標(biāo)。一般的十字外加“傾斜游標(biāo)"是只合起B(yǎng),，B-H曲線的任意點(diǎn)的導(dǎo)磁率測量就是接受客戶建議進(jìn)行功能優(yōu)化的,，為測試提供方便。

四,、鐵損是磁性材料本身丟失的電能,，大致分為下面3類

1、磁滯損耗

2,、渦流損耗

3,、剩余損耗

       磁滯損耗是指鐵磁材料作為磁介質(zhì)，在一定勵(lì)磁磁場下產(chǎn)生的固有損耗,；（在電能轉(zhuǎn)換磁能過程中所產(chǎn)生的損耗）,；渦流損耗是指磁通發(fā)生交變時(shí)，鐵芯產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢進(jìn)而產(chǎn)生感應(yīng)電流,，感應(yīng)電流呈旋渦狀,，稱之為渦流；感應(yīng)電流在鐵芯電阻上產(chǎn)生的損耗就是渦流損耗,；剩余損耗是指除磁滯損耗和渦流損耗以外的損耗，由于所占比重較小,，也可忽略不計(jì),。