化工儀器網(wǎng)
技術(shù)文章
1200℃CVD管式混動(dòng)氣氛爐供氣系統(tǒng)
閱讀：1153 發(fā)布時(shí)間：2019-4-221200℃CVD管式混動(dòng)氣氛爐供氣系統(tǒng)CVD特點(diǎn)
淀積溫度低,，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比,，均勻性,，重復(fù)性好，臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良,。
CVD制備的必要條件
1） 在沉積溫度下,，反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室,；
2） 反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外,，都必須是揮發(fā)性的；
3） 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓,。
何為cvd,？
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡(jiǎn)稱,，是指高溫下的氣相反應(yīng)，例如,，金屬鹵化物,、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸?，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬,、氧化物、碳化物等無(wú)機(jī)材料的方法,。這種技術(shù)*初是作為涂層的手段而開發(fā)的,，但目前，不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層,，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制,、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等,，是一個(gè)頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域,。
其技術(shù)特征在于：⑴高熔點(diǎn)物質(zhì)能夠在低溫下合成；⑵析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶,、多晶,、晶須、粉末,、薄膜等多種,；⑶不僅可以在基片上進(jìn)行涂層，而且可以在粉體表面涂層,，等,。特別是在低溫下可以合成高熔點(diǎn)物質(zhì)，在節(jié)能方面做出了貢獻(xiàn),，作為一種新技術(shù)是大有前途的,。
例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3,、SiC,，而且正向更低溫度發(fā)展。
CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳,、氮,、硼等的化合物進(jìn)行氣相反應(yīng)；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發(fā)生熱分解,。
CVD的裝置由氣化部分,、載氣精練部分、反應(yīng)部分和排除氣體處理部分所構(gòu)成,。目前,，正在開發(fā)批量生產(chǎn)的新裝置,。
CVD是在含有原料氣體、通過(guò)反應(yīng)產(chǎn)生的副生氣體,、載氣等多成分系氣相中進(jìn)行的,，因而，當(dāng)被覆涂層時(shí),，在加熱基體與流體的邊界上形成擴(kuò)散層,，該層的存在，對(duì)于涂層的致密度有很大影響,。圖2所示是這種擴(kuò)散層的示意圖,。這樣，由許多化學(xué)分子形成的擴(kuò)散層雖然存在,，但其析出過(guò)程是復(fù)雜的,。粉體合成時(shí)，核的生成與成長(zhǎng)的控制是工藝的重點(diǎn),。
作為新的CVD技術(shù),，有以下幾種：
⑴采用流動(dòng)層的CVD；
⑵流體床,；
⑶熱解射流,；
⑷等離子體CVD,；
⑸真空CVD,，等。
應(yīng)用流動(dòng)層的CVD如圖3所示,，可以形成被覆粒子（例如,，在UO2表面被覆SiC、C）,，應(yīng)用等離子體的CVD同樣也有可能在低溫下析出,，而且這種可能性正在進(jìn)一步擴(kuò)大。
