顯微光譜分析是對比普通光譜分析而言。通常普通光譜分析是指普通光纖光譜儀通過光纖將光信號導入光譜之中,。但是由于光纖收集的是發(fā)散光(一般光譜光纖數(shù)值孔徑為0.22),，因此普通光纖光譜儀僅能采集較大空間的光信號,。測試信號并不理想。
后來,，人們通過光學顯微鏡配合光纖光譜儀進行樣品空間分辨分析使得樣品的空間分辨率得到了大大的提高,。為了獲得更高的分辨率一方面是要提高顯微鏡的分辨率，另外一方面是要提高光纖光譜儀的性能和兩者之間的配合性能,。
目前市場上光纖光譜儀種類繁多,，選擇一款適合的光纖光譜儀至關(guān)重要。光纖光譜儀提供的設(shè)備在市場上一直在顯微光譜分析領(lǐng)域具有良好的口碑,。如果您擁有光學顯微鏡,，那么進行顯微光譜分析簡單的方法就是配備標旗光纖光譜儀的專用顯微鏡-光纖適配器對譜儀和顯微鏡進行整合同時配合標旗光纖光譜儀開發(fā)的定制軟件。然后,，您就能輕輕松松的用顯微鏡和整合好的光纖光譜儀系統(tǒng)對樣品進行信號分析,。
制絨過程:
制絨是將電池片表面刻蝕或腐蝕成不規(guī)則的粗糙表面。由于入射光在電池片表面多次反射和折射,、增加了光的吸收,，提高了電池片的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。此時,，可以利用測量反射率來衡量電池片的制絨效果,。一般來說，在制絨完成后,，電池片的反射率在35%左右,。
清洗過程:
在制絨過程后，需要對電池片表面進行一般的化學清洗,。清洗后還要進行脫水處理,。此時，可以利用測量反射率來衡量電池片清洗效果,。
PECVD過程
為了進一步減少表面反射,，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層SiN(氮化硅)減反射膜?，F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜,。PECVD即等離子體增強型化學氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體做能量源,，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3,，氣體經(jīng)一系列化學反應(yīng)和等離子體反應(yīng),，在樣品表面形成固態(tài)薄膜，即氮化硅薄膜,。在反應(yīng)過程中,，可以使用高分辨的等離子體監(jiān)控儀進行等離子體反應(yīng)的原位監(jiān)控,。一般情況下，使用PECVD方法沉積的薄膜厚度在70nm左右,。完成PECVD鍍膜后,，需要使用橢偏儀和反射率儀綜合衡量電池片的膜厚和反射率
封裝過程
在組件的表面需要封裝上玻璃，起到保護電池組件的作用?，F(xiàn)在一般使用增透型的壓花玻璃進行封裝,。壓花玻璃的透過率將直接影響電池組件的發(fā)電效率。因此,，需要使用壓花玻璃透過率儀對封裝的壓花玻璃透過率進行檢測,。
測試過程
為了衡量電池組件的發(fā)電效率，需要使用太陽光模擬器照射進行發(fā)電效率的測試,。太陽光模擬器一般使用特殊的脈沖氙燈光源,。由于脈沖氙燈光源具有使用壽命，因此,，為了獲取準確的效率數(shù)據(jù),，需要對太陽光模擬器的輻射情況進行檢測。
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