簡要介紹薄膜熱電阻的原理以及使用場合
薄膜鉑熱電阻由一種新的鉑熱電阻生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn),,即用膜工藝改變?cè)械木€繞工藝,制備薄膜鉑熱電阻,。它是由亞微米或微米厚的鉑膜及其依附的基板組成,。它的測溫范圍是-50-600℃。目前國產(chǎn)薄膜鉑熱電阻精度可達(dá)到德國標(biāo)準(zhǔn)(DIN)中的B級(jí),,技術(shù)上與*水平尚有差距,。由于薄膜熱容量小,熱導(dǎo)率大,,而基板又是很好的絕緣材料,,薄膜鉑熱電阻能準(zhǔn)確地測出所在表面的真實(shí)溫度。
1,、薄膜鉑熱電阻的特點(diǎn)
①可制成高阻值元件(如1000Ω),,適合配用顯示儀表,使用方便,,穩(wěn)定可靠,。
②靈敏度高,響應(yīng)快,,在流速為0.4m/s的水中,,響應(yīng)時(shí)間(τ0.5)為0.15s,。
③外形尺寸小(約5mm×2mm×1.3mm),,便于安裝在狹小的場所。
④可大批量自動(dòng)化生產(chǎn),,成本低,,約為同類繞線電阻價(jià)格的1/2-1/3,。
⑤缺點(diǎn)是抗固體顆粒正面沖刷性能差。
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2,、薄膜鉑熱電阻的設(shè)備
制備的方法有真空沉積及陰極濺射法等,。主要工藝流程如下:基板炎魔拋光→清洗→鉑蒸鍍或真空沉積在氧化鋁基板上→激光自動(dòng)刻阻→截取單支元件→超聲熱壓焊接引線→涂玻璃釉→通電檢測與篩選。
3、薄膜鉑熱電阻的電阻與溫度關(guān)系
鉑熱電阻的電阻由兩部分組成:隨溫度變化的電阻RT及不隨溫度變化的剩余電阻Rt,。它們的電阻與溫度的關(guān)系為:
R(T)=RT+Rt=100×{1+RT/(RT+Rt)×A×T+RT/(RT+Rt)×B×T2},,公式中A和B為常數(shù)。
4,、薄膜鉑熱電阻應(yīng)用
薄膜鉑熱電阻的生產(chǎn)工藝成熟,,產(chǎn)量高。適用于表面,、狹小區(qū)域,、快速測溫計(jì)需要高阻值元件的場合。
zui近薄膜鉑熱電阻制作工藝又有所改進(jìn),。把鉑研制成粉漿,,采用感光平板印刷技術(shù),將鉑附著在陶瓷基片上形成鉑膜,。膜厚在2μm以內(nèi)加上引線,,保護(hù)釉經(jīng)激光刻阻制作而成,。
這種薄膜鉑熱電阻具有良好的長期穩(wěn)定性,。在600℃溫度下工作1000h后,其電阻變化<0.02%,。
薄膜鉑熱電阻的引線隨工作溫度不同而異:
-200~150℃時(shí),,引線材質(zhì):鈀銀合金。Φ0.25mm×10mm,。
-50~400℃時(shí),,引線材質(zhì):鈀銀合金。Φ0.25mm×10mm,。
-50~600℃時(shí),,引線材質(zhì):鉑鎳合金。Φ0.25mm×10mm,。
-60~850℃時(shí),,引線材質(zhì):鉑銠合金。Φ0.25mm×10mm,。