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TC-Wafer高低溫探針臺(tái)晶圓測(cè)溫系統(tǒng)支持定制

一,、晶圓對(duì)溫度的要求

典型的晶圓高低溫測(cè)試通常涵蓋溫度范圍從 -45°C 至 150°C，而在晶圓可靠性測(cè)試中,，溫度可能高達(dá) 300°C,。然而，隨著探針臺(tái)進(jìn)行溫度變化,，由于熱膨脹和冷收縮效應(yīng),，探針與卡盤(pán)之間可能會(huì)出現(xiàn)熱漂移，從而影響探針與 PAD 點(diǎn)之間的對(duì)準(zhǔn),，增加晶圓探針測(cè)試的難度,。更有一些晶圓測(cè)試要求在極*溫度環(huán)境下，甚至達(dá)到 500°C 以上,。隨著溫度的升高,，探針臺(tái)也將面臨更大的溫度范圍測(cè)試壓力。

二,、高低溫晶圓探針臺(tái)需要確保

1）溫度的均勻穩(wěn)定性,；為晶圓測(cè)試提供精確的溫度環(huán)境，既反應(yīng)探針臺(tái)機(jī)械的穩(wěn)定性,，又是影響測(cè)試數(shù)據(jù)真實(shí)結(jié)果的關(guān)鍵,；

2）升降溫速率；探針臺(tái)的升降溫速率也是一項(xiàng)重要的指標(biāo),。低溫測(cè)試時(shí),，避免空氣中的水蒸氣在樣品上凝結(jié)成露水，從而避免漏電過(guò)大或探針無(wú)法接觸電極而使測(cè)試失敗,。同時(shí),，在真空環(huán)境中，傳熱的方式作用下,，能更有效的提高制冷效率,。高溫測(cè)試時(shí)，在真空環(huán)境下,，也能有效減少樣品氧化,，從而避免樣品電性誤差、物理和機(jī)械上的形變,。

三,、產(chǎn)品概述

智測(cè)電子TC-WAFER晶圓測(cè)溫系統(tǒng)應(yīng)用于高低溫晶圓探針臺(tái)，測(cè)量精度可達(dá)mk級(jí)別,，可以多區(qū)測(cè)量晶圓特定位置的溫度真實(shí)值,，也可以精準(zhǔn)描繪晶圓整體的溫度分布情況，還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度變化,，了解升溫,、降溫以及恒溫過(guò)程中設(shè)備的有效性,。

智測(cè)電子還提供整個(gè)實(shí)驗(yàn)室過(guò)程的有線溫度計(jì)量，保證溫度傳感器的長(zhǎng)期測(cè)量精度,。

合肥智測(cè)電子致力于高精度溫測(cè),、溫控設(shè)備的生產(chǎn)和研發(fā)定制，為半導(dǎo)體設(shè)備提供可靠的國(guó)產(chǎn)解決方案,。

TC-Wafer高低溫探針臺(tái)晶圓測(cè)溫系統(tǒng)支持定制

濕法工藝晶圓溫度測(cè)量系統(tǒng),、TC-Wafer晶圓溫度測(cè)量系統(tǒng)