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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> BGO晶體 BSO晶體其他光折變晶體
硅酸鉍(Bi)12SiO20,bso)晶體是一種高效率的光導(dǎo)材料,,暗導(dǎo)率低,允許大量的光誘導(dǎo)空間電荷的積累,。巨大的光電導(dǎo)性和電光特性提高了BSO晶體的應(yīng)用范圍:空間光調(diào)制器,、光開(kāi)關(guān)、相位共軛混合器,。Optogama用改進(jìn)的Czochralski法生長(zhǎng)了BSO晶體,,其孔徑可達(dá)3英寸。
鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe:LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度,、高的電光系數(shù)和衍射效率,、化學(xué)力學(xué)性能,是一種很有吸引力的光折變材料,。Fe:LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長(zhǎng),,尺寸大,。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應(yīng)用的材料性能。更重要的是,,F(xiàn)e:Linbo3晶體操作方便,,成本低,適合批量生產(chǎn),。
SBN晶體具有優(yōu)良的光學(xué)和光折變性能,。它們表面上是純的,被Ce,,Cr,,Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光,、聲光,、光折變、非線性光學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,。包裹體和其它非均勻性SBN晶體,,采用改進(jìn)的Stepanov法生長(zhǎng),線性尺寸可達(dá)40 mm,。
鍺酸鉍(Bi12GeO20,,BGO)晶體是具有低暗電導(dǎo)率的高效光電導(dǎo)體,可以積累大量光致空間電荷,。
硅酸鉍晶體主要特點(diǎn):
-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用,。
-可根據(jù)要求定制
BSO晶體主要應(yīng)用:
-空間光調(diào)制器
-光開(kāi)關(guān)
-相位共軛混合器。
鈮酸鋰晶體主要特點(diǎn):
-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用,。
-可根據(jù)要求定制
LiNbO3晶體的主要應(yīng)用:
-空間光調(diào)制器
-光開(kāi)關(guān)
-全息記錄
-光波導(dǎo)
SBN晶體的主要特點(diǎn):
-Ce,,Cr,Co,,F(xiàn)e純摻雜
-有效相位共軛
-定制尺寸,,摻雜水平,無(wú)極化,,減反射涂層和沒(méi)有電極晶體可根據(jù)要求
SBN晶體的主要應(yīng)用:
-光學(xué)信息記錄
-熱釋電探測(cè)器
-自泵浦自共軛鏡
-光學(xué)相關(guān)器
BGO晶體的主要特點(diǎn):
-高電光系數(shù)(r41=3,,5 pm/v)
-低暗電導(dǎo)
-大尺寸元件或晶片最多可達(dá)3“
-可根據(jù)要求定制
BGO晶體的主要應(yīng)用:
-空間光調(diào)制器
-光開(kāi)關(guān)
-光學(xué)相關(guān)器
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