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產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)在真空壓力下,，加在電感線圈的射頻電場,，使反應(yīng)室氣體發(fā)生輝光放電，在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子,。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量,，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞,，使氣體分子活化,。它們吸附在襯底上，并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成介質(zhì)膜,，副產(chǎn)物從襯底上解吸,，隨主氣流由真空泵抽走，稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉(PECVD),。 PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)由開啟式管式爐,、高真空分子泵系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成,，是實驗室生長薄膜石墨烯,，金屬薄膜，陶瓷薄膜,，復(fù)合薄膜等的理想選擇,。 | ||
PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)主要功能和特點： 1、PECVD具有基本溫度低,、沉積速率快,、成膜質(zhì)量好、針孔較少,、不易龜裂等,； 2,、PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng),； 3,、借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體,，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜,； 4,、高真空系統(tǒng)由雙級旋片真空泵和分子泵組成，zui高真空可達(dá)0.001Pa,； 5,、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計，流量顯示儀等組成,，實現(xiàn)氣體的流量的精密測量和控制,； 6、每條氣體管路均配備高壓逆止閥,，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性,； 7、采用KF快速法蘭密封,，裝卸方便快捷,； 8,、管路采用世界*Swagelok卡套連接,，不漏氣； 9,、超溫,、過壓時，自動切斷加熱電源及流量計進(jìn)氣,，使用安全可靠,。 | ||
PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)主要用途： 高校、科研院所用于真空鍍膜,、納米薄膜材料制備,，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜,，陶瓷薄膜,，復(fù)合薄膜等，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用,。 | ||
PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)： | ||
SKGL-1200 開啟式管式爐 | 控溫方式 | 采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù),，具有PID調(diào)節(jié),、自整定功能，并可編制30段升降溫程序,。 |
加熱元件 | 0Cr27Al7Mo2 | |
工作電源 | AC220V 50Hz/60Hz | |
額定功率 | 4kw | |
爐管材質(zhì) | 高純石英管 | |
爐管尺寸 | Φ60/Φ80*1200mm | |
工作溫度 | ≤1150℃ | |
zui高溫度 | 1200℃ | |
恒溫精度 | ±1℃ | |
恒溫區(qū) | 200mm | |
升溫速度 | ≤10℃/min | |
密封方式 | 不銹鋼快速法蘭擠壓密封 | |
ZK-F 分子泵真空系統(tǒng) | 真空范圍 | 0.1-0.001Pa |
極限真空 | 4.0*10^-4Pa | |
產(chǎn)品配置 | 雙級旋片真空泵+分子泵 | |
測量方式 | 復(fù)合真空計 | |
真空規(guī)管 | 電阻規(guī)+電離規(guī) | |
冷卻方式 | 風(fēng)冷 | |
工作電源 | AC220V 50/60HZ | |
抽速 | 110L/S | |
射頻電源系統(tǒng) | 射頻功率輸出范圍 | 5~500W |
射頻頻率 | 13.56MHz±0.005% | |
噪聲 | ≤55DB | |
冷卻方式 | 風(fēng)冷 | |
功率溫定度 | ± 0.1% | |
HQZ-Ⅳ 混氣系統(tǒng) | 流量規(guī)格 | 0－200sccm （可根據(jù)客戶需要配置） |
線性 | ±1.5%F.S | |
準(zhǔn)確度 | ±1.5%F.S | |
重復(fù)精度 | ±0.2%F.S. | |
響應(yīng)時間 | ≤8sec | |
耐壓 | 3MPa | |
氣路通道 | 4通道（根據(jù)客戶需求） | |
針閥 | 316不銹鋼 | |
管道 | Φ6mm不銹鋼管 | |
接口 | SwagelokΦ6mm | |