您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)
真空感應(yīng)熔煉爐的特點(diǎn)及適用范圍
閱讀：722 發(fā)布時(shí)間：2020-9-14
1800℃真空感應(yīng)熔煉爐的特點(diǎn)和功能：
1,、在熔煉過程中可在不破壞熔煉室真空情況下進(jìn)行測溫,、取樣,、搗料,、觀察,、補(bǔ)加料和合金成份調(diào)整等,。與此同時(shí)可通過充氣閥充入惰性氣體以控制爐內(nèi)的壓力和氣氛。澆鑄可澆一錠和多錠及裝入預(yù)熱保溫錠模,、水冷錠模,、砂型箱等以及進(jìn)行澆鑄。
2,、加熱電源可采用IGBT中頻電源,，IGBT中頻電源是采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)電源，逆變器件為新型IGBT模塊,，其主要優(yōu)點(diǎn)有以下幾下方面：
①逆變電壓高,，電流小，線路損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能10%左右,。
②功率因數(shù)高,，功率因數(shù)始終大于0.9，無功損耗小,，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源節(jié)能3%~5%,。
③高次諧波干擾小： IGBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式,，直流電壓始終工作在高,，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會產(chǎn)生高次諧波,，不會污染電網(wǎng),，不會干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。
④可恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功,，而IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功,，不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個熔煉過程中保持恒功率輸出,，尤其是生產(chǎn)不銹鋼,、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí),，更顯示它的*性,，熔化速度快，減少爐料元素?zé)龘p少,，降低成本,。
1800℃真空感應(yīng)熔煉爐主要用途和適用范圍：
由于它能嚴(yán)格控制合金成份，同時(shí)具有電磁攪拌和高真空脫氣的能力,，可在高真空條件下或在充保護(hù)氣氛情況下進(jìn)行的熔煉和澆鑄鎳基,、鐵基、鈷基及其它高級精密合金或高純度金屬,。若選用石墨坩堝,，則可通過間接加熱的方法熔化低電阻率的金屬及其合金，例如：金,、銀,、銅、鋁,、青銅等,。
1,、在熔煉過程中可在不破壞熔煉室真空情況下進(jìn)行測溫,、取樣,、搗料,、觀察,、補(bǔ)加料和合金成份調(diào)整等,。與此同時(shí)可通過充氣閥充入惰性氣體以控制爐內(nèi)的壓力和氣氛。澆鑄可澆一錠和多錠及裝入預(yù)熱保溫錠模,、水冷錠模,、砂型箱等以及進(jìn)行澆鑄。
2,、加熱電源可采用IGBT中頻電源,，IGBT中頻電源是采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)電源，逆變器件為新型IGBT模塊,，其主要優(yōu)點(diǎn)有以下幾下方面：
①逆變電壓高,，電流小，線路損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能10%左右,。
②功率因數(shù)高,，功率因數(shù)始終大于0.9，無功損耗小,，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源節(jié)能3%~5%,。
③高次諧波干擾小： IGBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式,，直流電壓始終工作在高,，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會產(chǎn)生高次諧波,，不會污染電網(wǎng),，不會干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。
④可恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功,，而IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功,，不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個熔煉過程中保持恒功率輸出,，尤其是生產(chǎn)不銹鋼,、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí),，更顯示它的*性,，熔化速度快，減少爐料元素?zé)龘p少,，降低成本,。
1800℃真空感應(yīng)熔煉爐主要用途和適用范圍：
由于它能嚴(yán)格控制合金成份，同時(shí)具有電磁攪拌和高真空脫氣的能力,，可在高真空條件下或在充保護(hù)氣氛情況下進(jìn)行的熔煉和澆鑄鎳基,、鐵基、鈷基及其它高級精密合金或高純度金屬,。若選用石墨坩堝,，則可通過間接加熱的方法熔化低電阻率的金屬及其合金，例如：金,、銀,、銅、鋁,、青銅等,。