影響Zeta的因素有很多,，例如pH值 、電導(dǎo)率（濃度,、鹽的類型）,、組成成分濃度的變化（如高分子、表面活性劑）等等,，在本次應(yīng)用中,，我們檢測了一個共聚物球懸浮液，通過加入不同量的吐溫80,，觀察Zeta電位的變化,。

原理和設(shè)備                                                        

電泳光散射技術(shù)ELS是利用激光照射在樣品溶液或者懸浮液上，檢測向前角度的散射光信號,。在樣品兩端施加一個電場,，樣品中的帶電顆粒在電場力的驅(qū)動下進(jìn)行電泳運動。由于顆粒的電泳運動，樣品的散射光頻率會產(chǎn)生一個頻移,，即多普勒頻移,。利用數(shù)學(xué)方法處理散射光信號，得到散射光的頻率移動,，進(jìn)而得到顆粒的電泳運動速度,，即電泳遷移率μ。通過Herry方程,，我們把顆粒的電泳遷移率和其Zeta電位ζ聯(lián)系起來：

其中ε為介電常數(shù),，η為溶劑粘度，f(κα)為Henry函數(shù),，κ為德拜半徑倒數(shù),，α代表粒徑，κα代表了雙電層厚度和顆粒半徑的比值,。,。

    本次儀器使用丹東百特儀器有限公司的BeNano 90 Zeta 納米粒度及Zeta電位儀。儀器使用波長671 nm,，功率50 mW激光器作為光源,，設(shè)置在12°角的APD檢測器進(jìn)行散射光信號采集。采用相位分析光散射技術(shù),，可以有效檢測低電泳遷移率樣品的Zeta電位信息,。

樣品制備和測試條件

將樣品稀釋1000倍后，取1 mL樣品,，分別加入50μL,、5μL、0.5μL以及0.05μL的吐溫80,。BeNano 90 Zeta內(nèi)置的溫度控制系統(tǒng)開機(jī)默認(rèn)測試溫度控制為25℃±0.1℃,。樣品注入毛細(xì)管電極，利用電泳光散射進(jìn)行Zeta電位測試,，每個樣品進(jìn)行三次重復(fù)性測試,，以得到測試的標(biāo)準(zhǔn)偏差。

測試結(jié)果和討論

圖1. Zeta電位與吐溫添加劑之間的關(guān)系曲線

圖1是Zeta電位與吐溫添加劑之間的關(guān)系曲線,，每一個數(shù)據(jù)點都是多次測試的平均值,，數(shù)據(jù)點上顯示了標(biāo)準(zhǔn)偏差，每個點標(biāo)準(zhǔn)偏差很小,，說明實驗結(jié)果具有良好的重復(fù)性,。通過曲線可以看到，聚合物球本身攜帶負(fù)電,，未加入吐溫時Zeta電位為-31.9 mV,。當(dāng)加入極少量的吐溫80時,，Zeta電位絕對值略有增大變?yōu)?/span>-40.9 mV，但隨著繼續(xù)加入吐溫,，Zeta電位的絕對值數(shù)值又變小,。加入50 μL 吐溫時，電位降至-12.0 mV,。分析其原因,，有可能是加入吐溫后，吐溫會吸附在聚合物球的表面,，當(dāng)加入吐溫量很低的時候,，吸附在聚合物球表面的吐溫增加了聚合物球的親水性，導(dǎo)致電位絕對值增加,，而隨著更多吐溫的加入,，大量吐溫分子吸附在聚合物球的表面，屏蔽了球表面帶電基團(tuán)和周圍分散液,，導(dǎo)致了Zeta電位絕對值下降,。

這個應(yīng)用中可以看出，小分子添加劑對于顆粒懸浮液體系的Zeta影響是巨大的,，在研究體系Zeta電位的過程中,，應(yīng)該特別注意分散劑環(huán)境的組成。當(dāng)報道一個體系的Zeta電位時,，不應(yīng)該單純的提到顆粒物質(zhì)是什么,，還應(yīng)該詳細(xì)的標(biāo)注分散液的組成成分及含量，因為這都是決定Zeta電位的因素,。