運(yùn)河警示浮標(biāo)單個(gè)航道航標(biāo)

浮力：浸在液體(或氣體)里的物體受到液體(或氣體)向上托的力。
浮力的方向：與重力方向相反,，豎直向上,。
浮力產(chǎn)生的原因：浸在液體或氣體里的物體受到液體或氣體對(duì)物體向上的和向下的壓力差 [1]  。
物體在液體中下表面受到的壓力于物體在液體中上表面受到的壓力,，所以合力為F向上-F向下,，原因是液體內(nèi)部向各個(gè)方向都有壓強(qiáng)，那么物體上表面受到液體給它的個(gè)向下的壓力,，而物體下表面受到液體給它的個(gè)向上的壓力,。由于在同種液體中，深度越,，壓強(qiáng)越,，所以物體下表面受到的壓力很明顯要于物體上表面受到的壓力，所以是F向上-F向下

運(yùn)河警示浮標(biāo)單個(gè)航道航標(biāo)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory,，DRAM）是種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表個(gè)二進(jìn)制比（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō),，周期性地充電是個(gè)可避的要件,。由于這種需要定時(shí)刷新的性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器,。相對(duì)來(lái)說(shuō),，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶,。
與SRAM相比,，DRAM的勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每個(gè)比的數(shù)據(jù)都只需個(gè)電容跟個(gè)晶體管來(lái)理，相比之下在SRAM上個(gè)比通常需要六個(gè)晶體管,。正因這緣故,，DRAM擁有高的密度,，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,，DRAM也有訪問(wèn)速度較慢,，耗電量較的缺點(diǎn)。

以浸在液體中的物體為例,，由于液體會(huì)產(chǎn)生壓強(qiáng),，而且壓強(qiáng)隨深度增加而變，且液體內(nèi)部向各個(gè)方向都有壓強(qiáng),，因此物體下底面受到的液體向上的壓力較,，上底面受到的液體向下的壓力較小，物體上,、下底面的壓力差即表現(xiàn)為豎直向上的浮力,。側(cè)面所受到的壓力相互抵消