膜層質(zhì)量關(guān)鍵是指膜層的應(yīng)力,、膜層厚度的均勻性和膜層的反射率等,。

影響膜層應(yīng)力的因素

不同的材料有不同的熱膨脹系數(shù)，膜層材料與鍍件的熱膨脹系數(shù)相差越小,，膜層因溫度變化產(chǎn)生的應(yīng)力就越小,，金屬或合金的韌性愈好，則沉積膜層的應(yīng)力愈小,。

膜層的應(yīng)力隨真空度的提高而降低,，當(dāng)濺射時(shí)氬氣的分壓低于0.13Pa時(shí)，膜層一般不會產(chǎn)生應(yīng)力,。

濺射粒子與鍍件的入射角度小于 15°,，不會產(chǎn)生應(yīng)力裂紋，大于 15°后,，膜層應(yīng)力裂紋隨角度的增大而增加,。

鍍件加熱是產(chǎn)生應(yīng)力裂紋的主要原因之一，因此,，鍍件的溫度一般控制在產(chǎn)生裂紋的臨界溫度以下,。

影響膜層厚度均勻性的因素

若磁控源在整個(gè)靶面上的濺射不均勻，會導(dǎo)致膜層厚度不均勻,。因此,，在設(shè)計(jì)磁控源時(shí),，合理安排磁體結(jié)構(gòu)，使邊線或兩端的磁場強(qiáng)度大于中間的磁場強(qiáng)度,，便可改善膜

厚的分布,。鍍件相對于磁控源有各種不同的運(yùn)動(dòng)方式，應(yīng)根據(jù)磁控源的形狀而定,。行星機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)方式的成膜性均勻,，臺階覆蓋性能好，鍍件裝載量大,，它便是經(jīng)常采用的運(yùn)動(dòng)方式,。選擇磁控源和鍍件間的相對位置，讓鍍件運(yùn)動(dòng),，使其各表面受濺射的幾率相等,。

影響膜層反射率的因素

一般濺射速率越大，得到的膜層反射率越高,，但不同金屬膜層的反射率與濺射速率關(guān)系不同,，應(yīng)通過試驗(yàn)確定*濺射速率。鍍件表面粗糙度愈低,，則膜層反射率愈大,，反之亦然。膜層的反射率隨膜厚的增加而降低,，對不同的金屬材料,，其影響程度也不一樣。一般膜層的反射率隨氬氣壓力的增加而急劇下降,，因此,，氬氣分壓應(yīng)控制在0.40~0.53Pa范圍內(nèi)。