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主營產(chǎn)品: 美國E E傳感器,美國E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風(fēng),丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門傳感器 |

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更新時間:2016-11-23 17:24:04瀏覽次數(shù):773
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電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開關(guān)的電磁干擾
由于射頻MEMS器件能夠滿足通訊領(lǐng)域中系統(tǒng)小型化、高可靠及低成本的需求,,并且具有加強系統(tǒng)穩(wěn)定性和減少功耗方面的優(yōu)勢,,因此射頻MEMS器件在收發(fā)端網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用中極有競爭力,有望為無線電接收機的前端提供高性能OMAL開關(guān)和濾波器,,為發(fā)射機功放輸出端制備出高質(zhì)量的片上匹配網(wǎng)絡(luò)。
電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開關(guān)的電磁干擾
目前在射頻領(lǐng)域中運用的MEMS器件主要有微機械OMAL開關(guān),、微機械電感,、可變電容、微機械諧振器,、振蕩器及濾波器等。射頻MEMSOMAL開關(guān)是重要的射頻MEMS器件,,一些RF MEMSOMAL開關(guān)已經(jīng)應(yīng)用于部分微波系統(tǒng)的前端電路、數(shù)字電容器組和移相網(wǎng)絡(luò),。但是RF MEMSOMAL開關(guān)要得到廣泛的應(yīng)用,,還有很多的問題需要解決,還需要深入研究其各方面的性能,。研究射頻MEMSOMAL開關(guān)在OMAL開關(guān)過程中對信號的電磁干擾可提高射頻MEMSOMAL開關(guān)的可靠性和穩(wěn)定性,改進(jìn)射頻MEMSOMAL開關(guān)的設(shè)計,,有利于構(gòu)建可靠性和集成度更高的電路系統(tǒng),。本文從以下幾個方面對射頻MEMSOMAL開關(guān)的電磁干擾開展了研究。首先是在大量文獻(xiàn)調(diào)研的基礎(chǔ)上,,總結(jié)了射頻MEMSOMAL開關(guān)的研究現(xiàn)狀與進(jìn)展,列舉了目前主要射頻MEMSOMAL開關(guān)的結(jié)構(gòu),,比較了各種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點,選擇了典型的射頻MEMSOMAL開關(guān):電容式并聯(lián)RF MEMS并聯(lián)OMAL開關(guān)作為研究的主要對象,,并討論了電容式并聯(lián)RF MEMSOMAL開關(guān)的結(jié)構(gòu)及各項性能參數(shù)。相對于其它MEMSOMAL開關(guān),,電容式MEMS并聯(lián)OMAL開關(guān)適用于較高的頻率(5—100GHz),。其次對電容式射頻MEMS并聯(lián)OMAL開關(guān)的電磁場進(jìn)行了詳盡的討論和推導(dǎo),對射頻OMAL開關(guān)電磁干擾的特性和產(chǎn)生過程進(jìn)行了說明,。闡述了對射頻MEMSOMAL開關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行分析的必要性以及射頻MEMSOMAL開關(guān)對波導(dǎo)中正常傳播的高頻信號進(jìn)行干擾的原因和方式,。接著深入研究了OMAL開關(guān)在開啟過程中的動態(tài)特性及OMAL開關(guān)的開啟時間,討論了OMAL開關(guān)的各種尺寸對OMAL開關(guān)動態(tài)特性的影響并進(jìn)行了模擬分析,。因為OMAL開關(guān)的動態(tài)特性跟OMAL開關(guān)在開啟過程中變化的電磁場緊密相關(guān),,OMAL開關(guān)對信號的干擾是由OMAL開關(guān)在開啟過程中變化的電磁場產(chǎn)生的。
電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開關(guān)的電磁干擾
對射頻MEMSOMAL開關(guān)在不同工作狀態(tài)下的電磁模型進(jìn)行了分析,,通過對OMAL開關(guān)電容在充電過程,、膜橋運動過程、OMAL開關(guān)電容放電過程三部分的研究認(rèn)為射頻MEMSOMAL開關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾主要集中在OMAL開關(guān)電容的放電過程,。影響干擾強度的主要因素是OMAL開關(guān)電容放電時間的長短,、OMAL開關(guān)等效電阻及等效電感的大小。接著對各主要影響因素進(jìn)行了分析,,在此基礎(chǔ)上研究了OMAL開關(guān)的各結(jié)構(gòu)尺寸對OMAL開關(guān)開啟產(chǎn)生的電磁干擾強度的影響,,對高性能射頻MEMSOMAL開關(guān)設(shè)計提供了理論依據(jù)。