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主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)E E傳感器,美國(guó)E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風(fēng),丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門傳感器 |
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2016-12-5 閱讀(880)
新型集成方式RF MEMS歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)
微波射頻歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)陣列是無(wú)線通信的重要元件,。與傳統(tǒng)的PIN二極管和CMOS固態(tài)歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)相比，射頻微機(jī)電(RF MEMS)歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)具有尺寸小,、隔離度高、插入損耗低、功耗低等特點(diǎn),。但是，RF MEMS歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)由于可靠性,、信號(hào)功率處理能力有限及封裝整合等問(wèn)題仍未實(shí)現(xiàn)商品化,。提出了一種新型的3D RF MEMS歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)，這種歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)將MEMS驅(qū)動(dòng)器和波導(dǎo)結(jié)構(gòu)分別獨(dú)立加工,，然后對(duì)準(zhǔn)鍵合在一起,。
新型集成方式RF MEMS歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān) 基于鍵合微平臺(tái)技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān),。歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)包含下拉和上拉兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電極,，射頻襯底采用高阻硅材料，歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)采用低阻單晶硅,。論文分析了高阻硅和金屬線間插入的SiO_2層對(duì)射頻電路性能的影響,。理論分析表明,，在高(?)硅和SiO_2層之間插入一層很薄的低摻雜多晶硅層，有助于減輕SiO_2／Si分界面處表面電荷的累積,，既可以實(shí)現(xiàn)很好的直流隔離,，又不會(huì)惡化射頻損耗特性。歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,，采用低彈簧常數(shù)的彎曲折疊梁以降低驅(qū)動(dòng)電壓,，利用能量法推導(dǎo)了彎曲折疊梁的彈簧常數(shù)表達(dá)式，具有較高的精度,。然后,，進(jìn)行吸合電壓、品質(zhì)因子,、自驅(qū)動(dòng)和功率處理能力等靜態(tài)和動(dòng)態(tài)分析,，評(píng)估歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)的性能參數(shù)。通過(guò)有效控制歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)與上拉,、下拉電極的間隙,，既能降低驅(qū)動(dòng)電壓(＜10V)又保證理想的上下電容比(＞100)，還能夠提高射頻功率處理能力,。另外,，通過(guò)在歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)上靈活地改變影響射頻性能的電容板面積和感性金屬線，從而將歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)調(diào)諧在zui大隔離度的頻率,。 與表面加工技術(shù)相比,，這種基于鍵合的微平臺(tái)設(shè)計(jì)新思路，更有利于降低薄膜中的殘余應(yīng)力,，能夠靈活地控制MEMS標(biāo)準(zhǔn)部件和射頻部件,，便于大規(guī)模歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)相控陣列、天線陣列中應(yīng)用,。而且能夠充分發(fā)揮MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu),、IC企業(yè)和晶圓代工廠各自的優(yōu)勢(shì)，為MEMS集成和商品化提供很有價(jià)值的參考,。
