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牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

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更新時間:2025-03-19 17:42:35瀏覽次數(shù):363

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產(chǎn)品簡介

保修期限 1年 產(chǎn)地類別 進(jìn)口
產(chǎn)品成色 9成新 出廠年份 2022
使用年限 1年以內(nèi) 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,電子/電池,公安/司法,綜合
牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀 Max系列能譜儀采用新一代硅漂移型探測器(SDD),,配備大面積晶體和低噪音電子元器件,,顯著提升了分析速度和探測靈敏度。其最大計數(shù)率高達(dá)1,500,000cps,,適用于高速面分析及定量分析,,尤其在分析條件下,大面積晶體(100mm²和170mm²)能夠大幅提高計數(shù)率,。

詳細(xì)介紹

儀器型號:牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

生產(chǎn)廠家:英國牛津儀器公司

工作原理主要技術(shù)指標(biāo):

能譜儀與場發(fā)射電鏡聯(lián)用,,高能電子入射到樣品表面,激發(fā)出X射線,,能譜儀探頭緊靠樣品,,高效收集X射線,進(jìn)行快速元素定性,、定量分析,。

探測器:SDD硅漂移電制冷探測器

能量分辨率:MnKa優(yōu)于127eV

元素分析范圍:Be4—Cf98

主要用途:

與場發(fā)射電鏡SEM聯(lián)用,進(jìn)行材料微區(qū)成分分析,,單顆粒自動識別及成分形貌分析,。






牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀Max系列能譜儀,有效晶體面積為 40mm2,65mm2,100mm2以及170mm2,,是新一代硅漂移型探測器(SDD),,配有大面積晶體和低噪音電子元器件,分析速度和探測靈敏性都有大幅提升,。

速度 - 低噪音電子元器件和X4脈沖處理器的結(jié)合,,使Ultim Max能夠在1,500,000 cps的計數(shù)率下對樣品進(jìn)行面分析,并在400,000 cps計數(shù)率下進(jìn)行精確定量,。

靈敏度 - 晶體尺寸有著很大影響,。使用Ultim Max的大面積晶體(100 mm2和170 mm2),可大幅提高分析條件下的計數(shù)率,。

牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

  • X-MaxN 為低能端元素的分析做了巨大的優(yōu)化——無論何種尺寸,,表現(xiàn)出優(yōu)異的低能端分析性能

  • 所有尺寸的能譜儀均可保證檢測到Be,可獲得SiLI峰的面分布

  • 超大面積的能譜儀——均具有優(yōu)異的低能端分析性能

  • 優(yōu)異的空間分辨率
    高空間分辨率,,X射線擴(kuò)展區(qū)域更小

  • 大面積能譜儀可以在低加速電壓及低束流下采集X-射線

  • 納米尺度的特征可以更好的被檢測到

  • 超大面積的能譜儀——使高級的納米分析成為可能

  • 150 mm2 的能譜儀比小晶體面積的優(yōu)勢在哪里,?
    舉例為證。加速電壓20kV,,束流不到2nA時,,150 mm2 的能譜儀每秒即可輸出200,000的計數(shù)。而使用10 mm2 的能譜儀時,,需要近20nA下才可達(dá)到相同的計數(shù)率,。

  • 下圖顯示不同束流下的典型計數(shù)率,20kV下分析純Mn時,,探測器檢出角30°且距樣品45mm,。使用大面積能譜儀,無需增加束流即可極大地增大計數(shù)率,。也就是說在低束流下,,保證高空間分辨率及低輻照損傷的同時可以獲得足夠多的計數(shù)。左圖顯示束流增加對改善圖像質(zhì)量的影響,。

  • 點(diǎn)擊圖像可查看大圖

  • 牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀


  • 束流對納米材料分析的影響

  • 當(dāng)使用晶體面積小的能譜儀,,需要高束流來滿足足夠的計數(shù)率,但會損害空間分辨率,。超大面積能譜儀X-MaxN 150可以在低束流即高空間分辨率下獲得足夠多計數(shù),,因此可以成功實現(xiàn)納米材料的檢測與分析。

  • 牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

  •  

  • 右圖:納米結(jié)構(gòu)在5kV下的X-射線面分布,。計數(shù)率相同時,,150mm2的能譜儀所需束流更低,意味著空間分辨率足夠高可以分辨出納米尺度的變化,,且極大地減弱了樣品的輻照損傷,。相反,,10mm2的能譜儀則需要更高的束流,卻會嚴(yán)重?fù)p害空間分辨率,,使得面分布圖像模糊不清,。


  • 牛津EDX 二手 X-Max 80平方 能譜儀

  • 右圖:在0.2 nA, 3 kV下使用150 mm2 X-MaxN 的能譜儀對記憶合金中的納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析??梢杂^察到FeLa,,NiLa及CuLa峰顯示出的納米結(jié)構(gòu)分布差異,zei小可以區(qū)分出20nm寬度的結(jié)構(gòu),。


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