詳細(xì)介紹
二手sem掃描電鏡:
日立新推出的高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡,,1kv的分辨率提升到1.3nm,并在探測(cè)器設(shè)計(jì)上有新的突破,,配置了Lower,、Up-per和Top三個(gè)Everhart-Thornley型探測(cè)器,可以接受SE,、LA-BSE和HA-BSE多種信號(hào),,實(shí)現(xiàn)微區(qū)的形貌襯度、原子序數(shù)襯度,、結(jié)晶襯度和電位襯度的觀測(cè),;結(jié)合選配的STEM探測(cè)器,還可以實(shí)現(xiàn)明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像的觀測(cè),;此外在半導(dǎo)體應(yīng)用中,,還可以安裝EBIC探測(cè)器,采集感生電流圖像,,極大豐富了信號(hào)的采集,,對(duì)樣品的信息的收集達(dá)到了新的高度。
應(yīng)用領(lǐng)域:
主要用于生物體,、高分子,、無機(jī)非金屬、金屬材料等樣品的表面形貌觀察及元素成分分析,。廣泛應(yīng)用于生物,、能源、材料、化工,、環(huán)境等研究領(lǐng)域,。
儀器主要配置:
X射線能譜儀,離子濺射儀,,真空蒸鍍儀,,冷凍干燥機(jī)。
主要性能指標(biāo):
1. 二次電子分辨率:1.4nm(1kV,,減速模式),;1nm(15kV)
2. 電子槍:冷場(chǎng)發(fā)射電子源
3. 加速電壓:0.5 ~ 30 kV
4. 放大倍數(shù):×20 ~ ×800,000
5. 探測(cè)器:低位/高位二次電子探測(cè)器
二手sem掃描電鏡
描電子顯微鏡的制造是依據(jù)電子與物質(zhì)的相互作用。當(dāng)一束高能的入射電子轟擊物質(zhì)表面時(shí),,被激發(fā)的區(qū)域?qū)a(chǎn)生二次電子,、俄歇電子、特征x射線和連續(xù)譜X射線,、背散射電子,、透射電子,以及在可見,、紫外,、紅外光區(qū)域產(chǎn)生的電磁輻射。同時(shí),,也可產(chǎn)生電子-空穴對(duì),、晶格振動(dòng) (聲子)、電子振蕩 (等離子體),。原則上講,,利用電子和物質(zhì)的相互作用,可以獲取被測(cè)樣品本身的各種物理,、化學(xué)性質(zhì)的信息,如形貌,、組成,、晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)和內(nèi)部電場(chǎng)或磁場(chǎng)等等,。
掃描電子顯微鏡正是根據(jù)上述不同信息產(chǎn)生的機(jī)理,,采用不同的信息檢測(cè)器,使選擇檢測(cè)得以實(shí)現(xiàn),。如對(duì)二次電子,、背散射電子的采集,可得到有關(guān)物質(zhì)微觀形貌的信息;對(duì)x射線的采集,,可得到物質(zhì)化學(xué)成分的信息,。正因如此,根據(jù)不同需求,,可制造出功能配置不同的掃描電子顯微鏡,。
掃描電子顯微鏡是1965年發(fā)明的較現(xiàn)代的細(xì)胞生物學(xué)研究工具,,主要是利用二次電子信號(hào)成像來觀察樣品的表面形態(tài),即用極狹窄的電子束去掃描樣品,,通過電子束與樣品的相互作用產(chǎn)生各種效應(yīng),,其中主要是樣品的二次電子發(fā)射。二次電子能夠產(chǎn)生樣品表面放大的形貌像,,這個(gè)像是在樣品被掃描時(shí)按時(shí)序建立起來的,,即使用逐點(diǎn)成像的方法獲得放大像。