SEM電鏡出租全稱掃描電子顯微鏡（scanning electron microscope）,。是一種利用電子束掃描樣品表面從而獲得樣品信息的電子顯微鏡,。它能產生樣品表面的高分辨率圖像，且圖像呈三維,，掃描電子顯微鏡能被用來鑒定樣品的表面結構,。它由三大部分組成：真空系統(tǒng)，電子束系統(tǒng)以及成像系統(tǒng),。

SEM電鏡出租適于桌旁設置的設計尺寸

適于桌旁設置的設計尺寸

簡單設置在zui能發(fā)揮效果的地方

無需選擇設置場所的適于桌旁設置的設計尺寸

本體寬度只有 395mm,，與書桌寬度相同，對桌子尺寸沒有硬性要求,，不必保留特別空間,。設置在易操作的理想觀察環(huán)境，zui大限度發(fā)揮導入效果,。不必為觀察而跑遠路,。

SEM電鏡出租接通電源即可觀察

啟動所需步驟只是連接電源。僅需 3 分鐘即可開始觀察，觀察終了時切斷電源,。只在需要時才接通電源,，為節(jié)約能源而設計。任何時候都可輕松觀察,，提高觀察頻度的同時,，也可迅速應對急切觀察，可提高解析效率,。

 

結構組成

掃描電子顯微鏡由三大部分組成：真空系統(tǒng),，電子束系統(tǒng)以及成像系統(tǒng)。

以下提到掃描電子顯微鏡之處,，均用SEM代替

真空系統(tǒng)

真空系統(tǒng)主要包括真空泵和真空柱兩部分,。真空柱是一個密封的柱形容器。

真空泵用來在真空柱內產生真空,。有機械泵,、油擴散泵以及渦輪分子泵三大類，機械泵加油擴散泵的組合可以滿足配置鎢槍的SEM的真空要求,，但對于裝置了場致發(fā)射槍或六硼化鑭槍的SEM,，則需要機械泵加渦輪分子泵的組合。

成像系統(tǒng)和電子束系統(tǒng)均內置在真空柱中,。真空柱底端即為右圖所示的密封室,，用于放置樣品。

之所以要用真空,，主要基于以下兩點原因：

電子束系統(tǒng)中的燈絲在普通大氣中會迅速氧化而失效,，所以除了在使用SEM時需要用真空以外，平時還需要以純氮氣或惰性氣體充滿整個真空柱,。

為了增大電子的平均自由程,，從而使得用于成像的電子更多。

電子束系統(tǒng)　　

電子束系統(tǒng)由電子槍和電磁透鏡兩部分組成,，主要用于產生一束能量分布極窄的,、電子能量確定的電子束用以掃描成像。

電子槍

電子槍用于產生電子,，主要有兩大類,，共三種。

一類是利用場致發(fā)射效應產生電子,，稱為場致發(fā)射電子槍,。這種電子槍極其昂貴，在十萬美元以上,，且需要小于10-10torr的*真空,。但它具有至少1000小時以上的壽命，且不需要電磁透鏡系統(tǒng),。

另一類則是利用熱發(fā)射效應產生電子,，有鎢槍和六硼化鑭槍兩種。鎢槍壽命在30～100小時之間,，價格便宜,，但成像不如其他兩種明亮，常作為廉價或標準SEM配置,。六硼化鑭槍壽命介于場致發(fā)射電子槍與鎢槍之間,，為200～1000小時，價格約為鎢槍的十倍,，圖像比鎢槍明亮5～10倍,，需要略高于鎢槍的真空，一般在10-7torr以上,；但比鎢槍容易產生過度飽和和熱激發(fā)問題,。

電磁透鏡

熱發(fā)射電子需要電磁透鏡來成束，所以在用熱發(fā)射電子槍的SEM上,，電磁透鏡*,。通常會裝配兩組：

匯聚透鏡：顧名思義，匯聚透鏡用匯聚電子束,，裝配在真空柱中,，位于電子槍之下。通常不止一個,，并有一組匯聚光圈與之相配,。但匯聚透鏡僅僅用于匯聚電子束，與成像會焦無關,。

物鏡：物鏡為真空柱中zui下方的一個電磁透鏡,，它負責將電子束的焦點匯聚到樣品表面。

成像系統(tǒng)　　

電子經過一系列電磁透鏡成束后,，打到樣品上與樣品相互作用,，會產生次級電子、背散射電子,、歐革電子以及X射線等一系列信號,。所以需要不同的探測器譬如次級電子探測器、X射線能譜分析儀等來區(qū)分這些信號以獲得所需要的信息,。雖然X射線信號不能用于成像,，但習慣上，仍然將X射線分析系統(tǒng)劃分到成像系統(tǒng)中,。

有些探測器造價昂貴,，比如Robinsons式背散射電子探測器，這時，可以使用次級電子探測器代替,，但需要設定一個偏壓電場以篩除次級電子,。

放大率

與普通光學顯微鏡不同，在SEM中,，是通過控制掃描區(qū)域的大小來控制放大率的,。如果需要更高的放大率，只需要掃描更小的一塊面積就可以了,。放大率由屏幕/照片面積除以掃描面積得到,。

所以，SEM中,，透鏡與放大率無關,。

場深

在SEM中，位于焦平面上下的一小層區(qū)域內的樣品點都可以得到良好的會焦而成象,。這一小層的厚度稱為場深,，通常為幾納米厚，所以,，SEM可以用于納米級樣品的三維成像,。

作用體積

電子束不僅僅與樣品表層原子發(fā)生作用，它實際上與一定厚度范圍內的樣品原子發(fā)生作用,，所以存在一個作用“體積”,。

作用體積的厚度因信號的不同而不同：

歐革電子：0.5～2納米。

次級電子：5λ,，對于導體,，λ=1納米；對于絕緣體,，λ=10納米,。

背散射電子：10倍于次級電子。

特征X射線：微米級,。

X射線連續(xù)譜：略大于特征X射線,，也在微米級。

工作距離

工作距離指從物鏡到樣品zui高點的垂直距離,。

如果增加工作距離,，可以在其他條件不變的情況下獲得更大的場深。

如果減少工作距離,，則可以在其他條件不變的情況下獲得更高的分辨率,。

通常使用的工作距離在5毫米到10毫米之間。

成象

次級電子和背散射電子可以用于成象,，但后者不如前者,，所以通常使用次級電子,。

表面分析

歐革電子、特征X射線,、背散射電子的產生過程均與樣品原子性質有關,，所以可以用于成分分析。但由于電子束只能穿透樣品表面很淺的一層（參見作用體積）,，所以只能用于表面分析,。

表面分析以特征X射線分析zui常用，所用到的探測器有兩種：能譜分析儀與波譜分析儀,。前者速度快但精度不高，后者非常精確,，可以檢測到“痕跡元素”的存在但耗時太長,。