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DL10-8型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備,。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的,，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
半導(dǎo)體材料電阻性能測試儀 數(shù)字式四探針測試儀 單晶硅物理測試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測儀 方塊電阻薄層電阻測試儀
型號AODD-8
DL10-8型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備,。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的,，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機,、測試臺,、四探針探頭、計算機等部分組成,，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示,，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格,，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果,。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配,。具有功能選擇直觀,、測量取數(shù)快、精度高,、測量范圍寬,、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊,、易操作等特點,。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠,、半導(dǎo)體器件廠、科研單位,、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試,。
DL10-8型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的,，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器,。
儀器由主機、測試臺,、四探針探頭,、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示,，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析,，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果,。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計,、裝配。具有功能選擇直觀,、測量取數(shù)快,、精度高、測量范圍寬,、穩(wěn)定性好,、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點,。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠,、科研單位,、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
技 術(shù) 指 標(biāo)：
測量范圍電阻率：10-4～105Ω.cm(可擴展),；
方塊電阻：10-3～106Ω/□(可擴展),；
電導(dǎo)率：10-5～104s/cm；
電阻：10-4～105Ω,；
可測晶片直徑140mmX150mm(配S-2A型測試臺),；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
400mmX500mm(配S-2C型測試臺),；
恒流源電流量程分為1μA,、10μA、100μA,、1mA,、10mA,、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表量程及表示形式：000.00～199.99mV,；
分辨力：10μV,；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1%,；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示,；極性、超量程自動顯示,；
四探針探頭基本指標(biāo)間距：1±0.01mm,；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%,；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm,；
探針壓力：5～16牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
(按JJG508-87進(jìn)行)0.01Ω,、0.1Ω,、1Ω、10Ω,、100Ω,、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機測量zui大相對誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%
計算機通訊接口并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度：23±2℃,；
相對濕度：≤65%,；
無高頻干擾；
無強光直射,；