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上海妙定電氣有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： YDBJ交流試驗(yàn)變壓器,YTC3222變壓器短路阻抗測(cè)試儀,FCR帶電電纜識(shí)別儀,全自動(dòng)變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀 |
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2019-12-26 閱讀(958)
50 年代末出現(xiàn)的晶閘管標(biāo)志著運(yùn)動(dòng)控制的新紀(jì)元,。它是第yi代電子電力器件,，在我國(guó)至今仍廣泛用于直流和交流傳動(dòng)控制系統(tǒng),。隨著交流變頻技術(shù)的興起,，相繼出現(xiàn)了全控式器件 ―CTR、GTO,、P- MOSEFT等,。這是第二代電力電子器件。由于目前所能生產(chǎn)的電流/電壓定額和開(kāi)關(guān)時(shí)間的不同,，各種器件各有其應(yīng)用范圍,。
GTR的二次擊穿現(xiàn)象以及其安全工作區(qū)受各項(xiàng)參數(shù)影響而變化和熱容量小、過(guò)流能力低等問(wèn)題,，使得人們把主要精力放在根據(jù)不同的特性設(shè)計(jì)出合適的保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路上,，這也使得電路比較復(fù)雜，難以掌握,。
GTO是一種用門(mén)極可關(guān)斷的高壓器件,，它的主要缺點(diǎn)是關(guān)斷增益低，一般為 4～5,，這就需要一個(gè)十分龐大的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路,，且它的通態(tài)壓降比普通晶閘管高，約為 Zv～ 4.5v,，開(kāi)通di/dt和關(guān)斷dv/dt也是限制 GTO推廣運(yùn)用的另一原因,，前者約為500A/us，后者約為500V/us,，這就需要一個(gè)龐大的吸收電路,。
由于GIR、GTO等雙極性全控性器件必須要有較大的控制電流,，因而使門(mén)極控制電路非常龐大,，從而促進(jìn)廠新一代具有高輸人阻抗的 MOS結(jié)構(gòu)電力半導(dǎo)體器件的一切。功率MOSFET是一種電壓驅(qū)動(dòng)器件,，基本上不要求穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流,，驅(qū)動(dòng)電路只需要在器件開(kāi)通時(shí)提供容性充電電流，而關(guān)斷時(shí)提供放電電流即可,，因此驅(qū)動(dòng)電路很簡(jiǎn)單,。它的開(kāi)關(guān)時(shí)間很快，安全工作區(qū)十分穩(wěn)定,，但是P-MOSFET的通態(tài)電壓降隨著額定電壓的增加而成倍增大,，這就給制造高壓P-MOSFET 造成了很大困難。
IGBT是P-MOSFET工藝技術(shù)基礎(chǔ)上的產(chǎn)物,，它兼有MOSFET高輸人阻抗,、高速特性和GTR大電流密度特性的混合器件。其開(kāi)關(guān)速度比 P-MOSFET低,，但比GTR快,；其通態(tài)電壓降與GTR相擬約為1.5 V～3.5v,，比P-MOSFET小得多，其關(guān)斷存儲(chǔ)時(shí)間和電流卜降時(shí)間為別為0.2us一04us和0.2us～1.5us,，因而有較高的工作頻率,，它具有寬而穩(wěn)定的安個(gè)工作區(qū)，較高的效率,，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),。
MOS控制晶閘管（MCT）是一種在它的單胞內(nèi)集成了MOSFET的品閘管，利用M OS 門(mén)來(lái)控制品閘管的開(kāi)通和關(guān)斷,，具有晶閘管的低通態(tài)電壓降,，但其工作電流密度遠(yuǎn)高 IGBT和 GTR，在理論上可制成幾千伏的阻斷電壓和幾十千赫的開(kāi)關(guān)頻率,，且其關(guān)斷增益*,。
IGBT和MGT這一類復(fù)合型電力電子器件可以稱為第三代器件。在器件的復(fù)合化的同時(shí),，模塊即把變換器的雙臂,、半橋乃至全橋組合在一起大規(guī)模生產(chǎn)的器件也已進(jìn)入實(shí)用。在 模塊化和復(fù)合化思路的基礎(chǔ)卜,，其發(fā)展便是功率集成電路 PIC（Powerl,， lntegratcd Cirrrrcute）， 在PIC,，不僅主回路的器件,，而且驅(qū)動(dòng)電路、過(guò)壓過(guò)流保護(hù),、電流檢測(cè)甚至溫度自動(dòng)控制等作用都集成到一起,，形成一個(gè)整體，這可以算作第四代電力電子器件,。
2.變換器電路從低頻向高頻方向發(fā)展
隨著電力電子器件的更新,，由它組成的變換器電路也必然要換代。應(yīng)用普通晶閘管時(shí),，直流傳功的變換器主要是相控整流,，而交流變頻船動(dòng)則是交一直一交變頻器。當(dāng)電力電子器件進(jìn)入第二代后,，更多是采用PWM變換器了,。采用PWM方式后，提高了功率因數(shù),，減少 了高次諧波對(duì)電岡的影響,，解決了電動(dòng)機(jī)在低頻區(qū)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)問(wèn)題。
但是PWM逆變器中的電壓、電流的諧波分量產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)作用在定轉(zhuǎn)子上,，使電機(jī)繞組產(chǎn)生振動(dòng)而發(fā)出噪聲。為了解決這個(gè)問(wèn)題,，一種方法是提高開(kāi)關(guān)頻率,，使之超過(guò)人耳能感受的范圍，但是電力電子器件在高電壓大電流的情況下導(dǎo)通或關(guān)斷,，開(kāi)關(guān)損耗很大,。開(kāi)關(guān)損耗的存在限制了逆變器工作頻率的提高。
1986年美國(guó)威斯康星大學(xué)Divan教授提出諧振式直流環(huán)逆變器,。傳統(tǒng)的逆變器是掛在穩(wěn)定的直流母線上,，電力電子器件是在高電壓下進(jìn)行轉(zhuǎn)換的‘硬開(kāi)關(guān)’，其開(kāi)關(guān)損耗較大,，限制了開(kāi)關(guān)在頻率上的提高,。而諧奪式直流環(huán)逆變器是把逆變器掛在高頻振蕩過(guò)零的諧振路上，使電力電子器件在零電壓或零電流下轉(zhuǎn)換,，即工作在所謂的‘軟開(kāi)關(guān)’狀態(tài)下,，從而使開(kāi)關(guān)損耗降低到零。這樣,，可以使逆器尺寸減少,，降低成本，還可能在較高功率上使逆變器集成化,。因此,，諧振式直流逆變器電路極有發(fā)展前途。
3.交流調(diào)速控制理論日漸成熟
1971年,，德國(guó)學(xué)者 F,，Blaschke發(fā)表論文闡明了交流電機(jī)磁場(chǎng)定向即矢量控制的原理，為交流傳動(dòng)高性能控制奠定了理論基礎(chǔ),。矢量控制的基本思想是仿照直流電動(dòng)機(jī)的控制方式,，把定子電流的磁場(chǎng)分量和轉(zhuǎn)矩分量解耦開(kāi)來(lái)，分別加以控制,。這種解耦,，實(shí)際上是把異步電動(dòng)機(jī)的物理模型設(shè)法等效地變換成類似于直流電動(dòng)機(jī)的模式，這種等效變換是借助于坐標(biāo)變換完成的,。它需要檢測(cè)轉(zhuǎn)子磁鏈的方向,，且其性能易受轉(zhuǎn)子參數(shù)，特別是轉(zhuǎn)子回路時(shí)間常數(shù)的影響,。加上矢量旋轉(zhuǎn)變換的復(fù)雜性,，使得實(shí)際的控制效果難于達(dá)到分析的結(jié)果。
4.通用變頻器開(kāi)始大量投入實(shí)用
一般把系列化、批量化,、占市場(chǎng)量大的中小功率如400KVA以下的變頻器稱為通用變頻器,。從產(chǎn)品來(lái)看，第yi代是普通功能型U/F 控制型,，多采用16位CPU,，第二代為高功能型U/F型，采用32位DSP或雙16位CPU進(jìn)行控制,，采用了磁通補(bǔ)償器,、轉(zhuǎn)差補(bǔ)償器和電流限制拄制器.具有挖土機(jī)和“無(wú)跳閘”能力，也稱為“無(wú)跳閘變頻器”,。這類變頻器,！目前占*大。第三代為高動(dòng)態(tài)性能矢量控制型,。它采用全數(shù)字控制,，可通過(guò)軟件實(shí)現(xiàn)參數(shù)自動(dòng)設(shè)定，實(shí)現(xiàn)變結(jié)構(gòu)控制和自適應(yīng)控制,，可選擇U/F頻率開(kāi)環(huán)控制,、無(wú)速度傳感器矢量控制和有速度傳感器矢量控制，實(shí)現(xiàn)了閉環(huán)控制的自優(yōu)化,。從技術(shù)發(fā)展看,，雖然電力半導(dǎo)體器件有GTO、GTI,、IGBT,，但以后兩種為主，尤以IGBT為發(fā)展趨勢(shì)：變頻器的可靠性,、可維修性,、可操作性即所謂的RAs（ Reliabiliry，Availability,，Serviceability）功能也由于采用單片機(jī)控制動(dòng)技術(shù)而得以提高,。
5.單片機(jī)、集成曳路及工業(yè)控荊計(jì)算機(jī)的發(fā)展
以MCS-51為代表白8位機(jī)雖然仍占主導(dǎo)地位,，但功能簡(jiǎn)單,，指令集短小，可靠性高,，保密性高,，適于大批量生產(chǎn)的PIC系列單片機(jī)及CMS97C系列單片機(jī)等正在推廣，而且單片機(jī)的應(yīng)用范圍已開(kāi)始擴(kuò)展至智能儀器儀表或不太復(fù)雜的工業(yè)控制場(chǎng)合以充分發(fā)揮單片機(jī)的優(yōu)勢(shì)另外,，單片機(jī)的開(kāi)發(fā)手段也更加豐富,，除用匯編語(yǔ)言外，更多地是采用模塊化的（-語(yǔ)言、PL/M語(yǔ)言,。
在集成電路方面,，需要重點(diǎn)說(shuō)明的是集成模擬乘法器和集成鎖相環(huán)路及集成時(shí)基電路在自動(dòng)控制系統(tǒng)中運(yùn)用很廣。在電機(jī)控制方面,，還有于產(chǎn)生PWM控制信號(hào)的HEF4752,、TL494、SL E4520和 MA818等應(yīng)用也相當(dāng)廣泛,。
6.結(jié)束語(yǔ)
