CuInS2/ZnS量子點(diǎn)，硫化亞銅納米晶體光譜
西安齊岳生物科技供應(yīng)蛋白,、磷脂,、PEG、透明質(zhì)酸,、環(huán)糊精,、碳納米管、金納米粒子,、金納米棒,、金納米線、金-二氧化硅核殼結(jié)構(gòu),、四氧化三鐵納米粒子,、鉑納米線,、碳納米管-金納米粒子復(fù)合物、量子點(diǎn),、二氧化硅納米粒子,、石墨烯、二維MOS2,、樹(shù)枝狀化合物,、其他聚合物和貴金屬納米材料都可以做的、定制合成,、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,。提供功能化的Fe2O3氧化鐵納米粒子，四氧化三鐵Fe3O4納米復(fù)合物的定制合成,。
CuInS2/ZnS量子點(diǎn),，硫化亞銅納米晶體光譜
產(chǎn)品描述：
CuInS2(CIS)量子點(diǎn)由于其、太陽(yáng)光吸收系數(shù)高,、光化學(xué)性能穩(wěn)定在生物,、光電領(lǐng)域有很大的應(yīng)用潛力，然而目前量子產(chǎn)率較低,、質(zhì)量不可控和批量制備工藝的缺乏了它的應(yīng)用,。基于CIS量子點(diǎn)的發(fā)光機(jī)理和生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究了CIS和核殼CIS/ZnS量子點(diǎn)熒光效率的合成工藝,，并通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)了對(duì)熒光量子產(chǎn)率的大幅和CIS量子點(diǎn)熒光光譜的調(diào)控,。在此基礎(chǔ)上將燒瓶合成工藝轉(zhuǎn)移到微反應(yīng)器系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了CIS和CIS/ZnS量子點(diǎn)的連續(xù)合成。后,，以CIS量子點(diǎn)規(guī)?；a(chǎn)為例，基于微反應(yīng)器設(shè)備的連續(xù)化生產(chǎn)工藝進(jìn)行工程概念設(shè)計(jì),、投資成本估算和經(jīng)濟(jì)效益分析,。總體實(shí)現(xiàn)了從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)的全生命周期的研究,。主要獲得以下結(jié)果: (1)CIS量子點(diǎn)熒光效率的高溫液相熱處理過(guò)程 研究了基于高溫液相熱處理的方法以CIS量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率,。分析了CIS的發(fā)光機(jī)理、液相熱處理過(guò)程對(duì)晶體結(jié)晶度和熒光量子產(chǎn)率的影響,。結(jié)果表明:CIS量子點(diǎn)發(fā)光為多能級(jí)發(fā)光,，給體-受體缺陷發(fā)光為主要發(fā)光方式。CIS顆粒內(nèi)部和表面的多種缺陷引起的非輻射弛豫是導(dǎo)致顆粒量子產(chǎn)率較低的主要原因,。在高溫液相環(huán)境中和配體存在下晶體表面進(jìn)行重新溶解與生長(zhǎng),，能減少晶體內(nèi)部雜質(zhì)和晶體內(nèi)部、表面缺陷，減少非輻射弛豫的概率,，CIS量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率從5.7％10.8％,。
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Ag3PO4/g-C3N4異質(zhì)結(jié)光催化劑
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CuInS2@ZnS量子點(diǎn)，硫化亞銅納米晶體
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高亮度的CdSe/CdS/ZnS量子棒
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