CuInS2,、GaGeTe、GaPS4,、GeBi2Te4晶體粉末
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CuInS2,、GaGeTe,、GaPS4、GeBi2Te4晶體粉末
GeBi2Te4晶體
材料名稱 Name |
GeBi2Te4
|
性質(zhì)分類 Electrical properties | 拓?fù)潴w,,紅外材料 Topological Insulators |
禁帶寬度 Bangap | 0.837 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure | trigonal |
剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
易 |
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