InP襯底上InAlAs薄膜/GaAs襯底InGaP薄膜
西安齊岳生物供應(yīng)一系列的導(dǎo)電薄膜：Si基改性Ge薄膜
硅基底石墨烯膜1cm*1cm
硅基底石墨烯膜5cm*5cm
雙層石墨烯膜2cm*2cm
康寧7980玻璃上鍍ITO膜10x10x0.7mm
康寧7980上鍍ito膜(ito film on corning 7980)
InP上鍍InAlAs薄膜 摻Fe半型材料 300nm
在InP襯底上生長(zhǎng)InAlAs/InGaAs等異質(zhì)結(jié)構(gòu)
InP襯底上InAlAs薄膜
InP襯底上生長(zhǎng)InAlAs薄膜
InAlAs-InGaAs-InP
InP上鍍InGaAs薄膜 半型材料
GaAs InGaP薄膜
GaAs襯底InGaP薄膜
金屬襯底InGaP/GaAs雙結(jié)薄膜
InGaP/GaAs/InGaAs三結(jié)薄膜
InGaP/GaAs微結(jié)構(gòu)材料
GaAs襯底成功制備了InGaP外延薄膜
InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)
ITO+ZnO鈉鈣玻璃
ITO/ZnO復(fù)合材料
納米ZnO/ITO導(dǎo)電玻璃復(fù)合材料
ITO= 100nm，ZnO= 50nm
ITO導(dǎo)電玻璃襯底上沉積出透明致密ZnO薄膜
La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3復(fù)合材料
La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3復(fù)合材料
InP襯底上InAlAs薄膜/GaAs襯底InGaP薄膜
產(chǎn)品描述：
產(chǎn)品名稱： | InP上鍍InGaAs薄膜(Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn) |
常規(guī)尺寸： | dia 2" ;單拋 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 參數(shù)： | 1000級(jí)凈室100級(jí)凈袋真空包裝或單片盒裝 |
InP晶向： | <100>±0.5°with one flat |
InP摻雜類型： | 不摻雜 |
InP尺寸： | dia 2inch x 0.35mm ±25um |
Nc： | < 1E16/cc |
EPD: | <1E4 |
薄膜參數(shù): | In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc. |
薄膜厚度： | 1.0 um (+/- 5%) |
拋光情況： | 單拋 |
表面粗擦度： | Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)
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溫馨提示：用于科研哦?。▃hn2020.05.19）
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