Si襯底上AlN外延薄膜（Si+AlN dia4）

西安齊岳生物供應(yīng)一系列的導(dǎo)電薄膜：ITO膜,、InAlAs膜,、InGaAs膜、InGaP膜,、ITO+ZnO,、La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3、La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3,、SiO2+Pt 薄膜,、SrMoO4薄膜、LaFeO3膜,、LaNiO3膜,、La1-xSrxMnO3膜、La1-xSrxTiO3膜,、La2Zr2O7膜,、Mo膜,、MoS2膜、Ni膜,、Pt膜,、Si3N4膜、SOS膜,、SOI膜SiC?4H?膜P型,、SiC-3C膜、SiO2膜,、SrTiO3膜,、YBCO膜、YIG膜,、ZnO膜,、摻雜ZnO膜、SrRuO3薄膜,、TiO2薄膜,、ZnO +Au+Cr、ZnO+SiO2,、ZnO+鈉鈣玻璃,、ZnO+Pt+Ti（常規(guī)尺寸10x10x0.5mm；注：可以按照客戶要求加工）,。

Si襯底上AlN外延薄膜（Si+AlN dia4）

代半導(dǎo)體材料是我國十三五規(guī)劃的重要組成部分,作為代半導(dǎo)體材料的AlN是一種性能的Ⅲ-V族氮化物材料,具有寬的禁帶寬度,、高的表面聲波速度以及高的熱導(dǎo)率,成為紫外與深紫外光電子器件、表面聲波器件,、集成電路層等領(lǐng)域的材料,。目前常見制備AlN外延薄膜的襯底有藍寶石和SiC,但藍寶石襯底導(dǎo)電導(dǎo)熱性能差,SiC襯*格昂貴,因此其商業(yè)化發(fā)展。Si襯底因價格低廉,、工業(yè)化成熟以及大尺寸易制備等特點廣受關(guān)注,。然而由于Si襯底與AlN間較大的晶格失配和熱失配,Al吸附原子在生長面上遷移率低以及金屬有機化合物氣相沉積技

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Ba1-xTiO3型薄膜  400nm
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Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 10x10 x 0.5 mm
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Si+SiO2+Ta+Cu薄膜
Si/SiO2/Ta/Cu薄膜
Cu/Ta/SiO2/Si薄膜
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鍍金硅片鍍鉑硅片ptPt/Ti/SiO2/Si

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