GeBi2Te4,、CuInP2Se6、銻化銦InSb晶體基片
西安齊岳生物科技有限公司提供A-Z系列或者國產的薄膜,、單晶,、多晶體薄膜，尺寸可定制,；基底的薄膜,；高；有關資料歡迎咨詢,。供應CVD TMDC晶體：In2P3S9晶體,、In2Te5晶體、In3SbTe2晶體,、InSb晶體、InSiTe3晶體,、MnBiSe 晶體,、MnSbTe 晶體,、Nb3GeTe6晶體、NbTe4晶體,、NiCoSe2晶體,、NiTe2晶體、NiTe晶體,、Pb2Bi2Se5晶體、Pb2Bi2Te5晶體,、PbBi4Te7晶體,、PbBi6Te10晶體、PbSb2Te4晶體,、PbSe晶體,、PbS晶體、Sb2Te2Se晶體,、Sb2TeSe2晶體,、Sb2Te晶體、Sb16Te3晶體,、SiTe2晶體、SnBi2Te4晶體,、SnBi4Te7晶體,、SnPS3晶體、SnPSe3晶體,、TaCo2Te2晶體,、TaNi2Te2晶體、TaNi2Te3晶體,、V2NiSe4晶體,、Zr5Te4晶體、AgTaS3晶體、Ag3Sb晶體,、Ag2Te晶體,、Bi4Pb7Se13晶體、Cu2Se3晶體,、AgInP2S6晶體,、AgInP2Se6晶體、Cr2S3晶體,、CrTe2晶體,、CuBi3PbS6晶體、CuInP2Se6晶體,、CuInS2晶體,、GaGeTe晶體,、GaPS4晶體,、GeBi2Te4晶體、GeBi4Te7晶體,、GeSb4Te7晶體,、GeTe晶體、HfS3晶體,、HgPSe3晶體,、In2GaBi2S6晶體
GeBi2Te4、CuInP2Se6,、銻化銦InSb晶體基片
| 產品名稱： | 銻化銦(InSb)晶體基片 |
| 產品簡介： | |
| 參數(shù)： | 單晶 InSb 摻雜 None;Te;Ge 導電類型 N;N;P 載流子濃度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位錯密度cm-2 <2x102 |
| 產品規(guī)格： | 標準尺寸：2"x0.5mm, 表面粗糙度Ra:<1 注：可按客戶需求定制的方向和尺寸,。 |
| 標準包裝： | 1000級凈室，100級凈袋或單片盒封裝 |
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溫馨提示：用于科研哦?。▃hn2020.05.19）
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