In2GaBi2S6,、CuBi3PbS6、SnPSe3,、SiTe2晶體
西安齊岳生物科技有限公司提供A-Z系列或者國產(chǎn)的薄膜,、單晶、多晶體薄膜,，尺寸可定制,；基底的薄膜；高,；有關(guān)資料歡迎咨詢,。同時(shí)提供二維材料；石墨烯,、氮化硼,、二硫化鉬、CVD生長的薄膜,、晶體,、異質(zhì)結(jié)、薄膜（藍(lán)寶石,、PET,、銅膜、石英,、云母,、銀膜、SOI基底,、Si玻璃基底等基底）等材料,。供應(yīng)CVD TMDC晶體：AgTaS3晶體、Ag3Sb晶體、Ag2Te晶體,、Bi4Pb7Se13晶體,、Cu2Se3晶體、AgInP2S6晶體,、AgInP2Se6晶體,、Cr2S3晶體、CrTe2晶體,、CuBi3PbS6晶體,、CuInP2Se6晶體、CuInS2晶體,、GaGeTe晶體,、GaPS4晶體、GeBi2Te4晶體,、GeBi4Te7晶體,、GeSb4Te7晶體、GeTe晶體,、HfS3晶體,、HgPSe3晶體、In2GaBi2S6晶體,、In2P3S9晶體,、In2Te5晶體、In3SbTe2晶體,、InSb晶體,、InSiTe3晶體、MnBiSe 晶體,、MnSbTe 晶體,、Nb3GeTe6晶體、NbTe4晶體,、NiCoSe2晶體,、NiTe2晶體、NiTe晶體,、Pb2Bi2Se5晶體,、Pb2Bi2Te5晶體、PbBi4Te7晶體,、PbBi6Te10晶體,、PbSb2Te4晶體、PbSe晶體,、PbS晶體,、Sb2Te2Se晶體,、Sb2TeSe2晶體、Sb2Te晶體,、Sb16Te3晶體,、SiTe2晶體,、SnBi2Te4晶體,、SnBi4Te7晶體、SnPS3晶體,、SnPSe3晶體,、TaCo2Te2晶體、TaNi2Te2晶體,、TaNi2Te3晶體,、V2NiSe4晶體、Zr5Te4晶體
In2GaBi2S6,、CuBi3PbS6,、SnPSe3、SiTe2晶體產(chǎn)品描述：
CuBi3PbS6晶體
材料名稱 Name |
CuBi3PbS6 |
性質(zhì)分類 Electrical properties | 拓?fù)潴w Topological Insulators |
禁帶寬度 Bangap | 0.622 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation | 中 Medium |
相關(guān)產(chǎn)品：
| AIN薄膜 | 200nm ±10%, 單面鍍膜 |
| Al2O3+ZnO薄膜 | 注：可以按照客戶要求加工 |
| Al2O3+Si薄膜（SOS） | 10x10x0.5mm |
| AL2O3+GaN薄膜（P型;N型摻Si;N型不摻雜） | |
| BiFeO3薄膜 | 注：可以按照客戶要求加工 |
| Ba1-xSrxTiO3介電薄膜 | 10x10 x 0.5 mm |
| CeO2薄膜 | 40 nm +/- 10 nm |
| 金剛石薄膜DOI | 定制 |
| 金剛石薄膜DOS | |
| Ga2O3-ß薄膜 | |
| GGG+YIG薄膜 | 10x10x0.5mm |
| 塑料上ITO膜;PEN塑料上鍍ITO膜 | |
| InP上鍍InP/InGaAs/InP薄膜 | |
| 聚酰亞胺膜(HN Kapton);鍍特氟龍聚酰亞胺膜 | |
| 康寧7980上鍍Si3N4 | 10x10x0.5mm |
| LaNiO3薄膜 | 10x10x0.5mm |
| La1-xSrxMnO3薄膜 | |
| La2Zr2O7外延薄膜 | 20-150nm,；注：尺寸可以按照客戶要求加工 |
以上資料源于西安齊岳生物科技有限公司
西安齊岳生物科技有限公司
Xi'an qiyue Biological Technology Co;Ltd
溫馨提示：用于科研哦?。▃hn2020.05.19）
化工儀器網(wǎng)