CVD-Sb2Te3/MoSe2單層雙層多層二硒化鉬薄膜

西安齊岳生物供應(yīng)一系列的納米材料，供應(yīng)MBE-MoSe2三角形單晶,、MBE-MoS2三角形單晶,、MBE-WS2三角形單晶、MBE-WSe2三角形單晶,、CVD-WS2-WSe2面內(nèi)異質(zhì)結(jié),、CVD-多層BN薄膜、CVD-MOS2 連續(xù)薄膜,、CVD-MoS2少層薄膜,、CVD-單層BN薄膜、MOS2/WS2異質(zhì)結(jié),、MOS2/WSe2異質(zhì)結(jié),、CVD-三維鎳基BN泡沫、M1相二氧化釩VO2單晶薄膜,、三氧化二釩V2O3單晶薄膜,、分子束外延生長MoSe2單分子膜等材料。

CVD-Sb2Te3/MoSe2單層雙層多層二硒化鉬薄膜

了尋找優(yōu)化的實(shí)驗(yàn)條件得到大面積且高晶體質(zhì)量的二維過渡金屬硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,2DTMDCs)薄膜材料,選擇用化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)法,通過不斷優(yōu)化實(shí)驗(yàn)參量,制備出了單層MoSe2薄膜,并利用Raman光譜及光致發(fā)光光譜對樣品的層數(shù)和帶隙寬度進(jìn)行表征.通過大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在用CVD法制備單層MoSe2薄膜時(shí),實(shí)驗(yàn)的初始壓強(qiáng)及襯底與前驅(qū)體的距離會影響樣品的生長.于是通過對比實(shí)驗(yàn),探究了起始壓強(qiáng)及襯底與前驅(qū)體的距離對單層MoSe2薄膜生長的影響.得到了優(yōu)化的壓強(qiáng)及襯底與前驅(qū)體的距離.

相關(guān)產(chǎn)品,；

ALD-GaSe薄膜樣品
ALD-GaTe薄膜樣品
CVD-Sb2Te3 單層薄膜（）
CVD-MoSe2 單層薄膜（）
ALD-GaS薄膜樣品
ALD-Vdw薄膜樣品
CVD-PdSe2薄膜
CVD-PdS2薄膜
CVD-MoSe2多層薄膜
CVD-WS2多層薄膜
CVD-MoS2多層薄膜轉(zhuǎn)移的CVD類石墨烯
CVD-GaSe三角形晶體CVD-GaSe三角形單晶
Bi2Se3 硒化鉍 孤立晶粒
Bi2Se3 硒化鉍 藍(lán)寶石基底CVD Bi2Se3連續(xù)膜
Bi2Te3 碲化鉍(10mm*10mm)
CVD 二硒化鉬：MoSe2
CVD 二硒化鎢薄膜 ： WSe2 （孤立晶粒,、單層/多層連續(xù)薄膜）
CVD二硫化鎢薄膜：WS2
MoTe2 SiO2/Si基底二碲化鉬
NiTe2 孤立晶粒 二碲化鎳
ReS2 二硫化錸 藍(lán)寶石基底二硫化錸(10mm*10mm)
ReSe2 二硒化錸 藍(lán)寶石基底二硒化錸(10mm*10mm)
SnS2 二硫化錫 藍(lán)寶石基底二硫化錫(10mm*10mm)
SnSe2 二硒化錫 藍(lán)寶石基底SnSe2薄膜(10mm*10mm)
Ta2NiS5 晶體
不同層數(shù) 藍(lán)寶石基底二硒化鉑 PtSe2 (10mm*10mm)
碲化銻  CVD Sb2Te3薄膜
定制基底PtSe2
二硫化鉬薄膜: MoS2
二硫化錫 SnS2 孤立晶粒
二硒化鈀 PdSe2 SiO2/Si基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鈀 PdSe2 藍(lán)寶石基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鈀 PdSe2 石英基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鈀 PdSe2 石英基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鉑 PtSe2 石英基底PtSe2(10mm*10mm)

指南：
1.提供的產(chǎn)品的單價(jià),產(chǎn)品規(guī)格,型號,價(jià)格條款,原產(chǎn)地
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3.提供使用說明書,、核磁圖譜,、合成路線；制備方案,、合成步驟等信息請咨詢客服,。

溫馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）