MoS2/Graphene二硫化鉬/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜
西安齊岳生物科技有限公司是做二維材料的供應(yīng)商,；2020年新研究出了一系列的異質(zhì)結(jié)材料：WS2/Graphene、MoS2/WS2/hBN/Graphene、MoSe2/GrapheneWSe2/GraphenePtSe2/GrapheneReS2/GrapheneReSe2/GrapheneSnS2/Graphene?等材料,(SiO2/Si基底,、石英基底、PET基底,、藍(lán)寶石基底可選),。
MoS2/Graphene二硫化鉬/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜
報(bào)道了通過(guò)石墨烯表面直接電鍍硫化鉬制備垂直異質(zhì)結(jié)的電化學(xué)方案。作者巧妙地運(yùn)用CVD石墨烯的性質(zhì)：（1）高導(dǎo)電性,，（2）表面原子級(jí)平整,，（3）化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，（4）真空等,，將其直接作為導(dǎo)電電極,，經(jīng)過(guò)在的四硫代鉬酸銨水溶液中的電鍍以及退火過(guò)程，成功研制出大面積,、的MoS2/graphene垂直異質(zhì)結(jié),，并表現(xiàn)出的物理性質(zhì)。通過(guò)調(diào)控石墨烯電極的極性（作為陽(yáng)極或陰極）,、電解質(zhì)濃度,、電鍍時(shí)間以及電鍍電流等關(guān)鍵性參數(shù)，該研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了石墨烯表面的MoS2厚度從數(shù)納米到數(shù)百納米的連續(xù)可控,。與此同時(shí),，作者通過(guò)X射線光電子能譜(XPS)對(duì)整個(gè)制備流程中Mo與S元素的化學(xué)價(jià)態(tài)以及結(jié)構(gòu)變化進(jìn)行了系統(tǒng)的跟蹤分析,，進(jìn)而揭示了其生長(zhǎng)機(jī)制。
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