CVD生長鎳/硅片/玻璃/石英基底石墨烯薄膜
齊岳供應(yīng)銅基底石墨烯膜
CVD石墨烯薄膜
CVD銅基石墨烯薄膜
CVD生長硅片基底石墨烯薄膜
CVD生長玻璃基底石墨烯薄膜
CVD生長鎳基石墨烯薄膜
CVD生長石英基底石墨烯薄膜
CVD生長 PET基底石墨烯薄膜
CVD生長SiO2/Si基底石墨烯薄膜
CVD藍寶石基底石墨烯薄膜
西安齊岳生物科技有限公司可以提供以下二維納米材料：石墨烯,、石墨炔,、拓撲體、過渡族金屬硫化物（TMDs）,、過渡金屬碳化物和氮化物（MXenes）,、六角氮化硼（h-BN）等。
CVD生長鎳/硅片/玻璃/石英基底石墨烯薄膜
該產(chǎn)品支持層數(shù)定制（雙層,、少層等）,。
尺寸：1cm*1cm
透光率：大于97%
單層覆蓋率：大于95%
該產(chǎn)品可應(yīng)用于科研、柔性顯示,、透明導電等領(lǐng)域,。
(1)層數(shù)可定制：
實現(xiàn)單層、雙層,、多層等石墨烯定制服務(wù),。
(2) 多種基底石墨烯定制化服務(wù)：
為客戶提供多種基底石墨烯，如 PDMS,、玻璃,、石英、云母,、硅片,、二氧化硅等石墨烯轉(zhuǎn)移服務(wù),。
(3) 方法石墨烯定制化服務(wù)：
如摻雜石墨烯、SiC高載流子遷移率石墨烯定制化服務(wù),。
相關(guān)文獻：
采用CVD法制備大面積的石墨烯，并將其成功轉(zhuǎn)移到目標基底上,，是石墨烯透明導電薄膜的制備方法,。其中，如何實現(xiàn)大面積石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移是其作為電極材料的研究,，同時石墨烯薄膜的結(jié)構(gòu)與性能的內(nèi)在規(guī)律對其在器件領(lǐng)域的應(yīng)用也關(guān)重要,。先以銅箔為基底，采用CVD法制備石墨烯薄膜,，并成功轉(zhuǎn)移到透明基底上,。通過結(jié)構(gòu)表征和性能測試，考察了生長溫度和氫氣流量大小對石墨烯薄膜結(jié)構(gòu)的影響,，并探討了導電性,、透光性與薄膜結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律，為其在透明電極材料的應(yīng)用提供的實驗基礎(chǔ),。分析結(jié)果表明:在1000℃附近溫度范圍內(nèi)均制得少層石墨烯薄膜,，且生長溫度為1000℃時制備的石墨烯缺陷少、層數(shù)少,、透光性好;石墨烯薄膜的電阻值隨生長溫度的升高呈現(xiàn)線性下降趨勢,，這主要是由于生長溫度高有利于石墨烯薄膜的生長，產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)缺陷少,，因而薄層電阻降低,。對石墨烯薄膜的結(jié)構(gòu)與性能之間內(nèi)在聯(lián)系進行的探究，為其作為一種寬波長窗口電極材料的應(yīng)用提供了新思路,。傳統(tǒng)的CVD法是以銅,、鎳等金屬作為基底催化生長石墨烯薄膜，在向目標基底轉(zhuǎn)移過程中不可避免地引入了雜質(zhì)和結(jié)構(gòu)缺陷,，這地局限了其應(yīng)用發(fā)展,。研究表明，直接在體或半導體上生長石墨烯薄膜有望解決這一問題,。因此,，嘗試以SiO2為基底，利用CVD法直接合成無轉(zhuǎn)移的石墨烯薄膜,。初步研究了CVD生長過程中采用的輔助手段對SiO2基底上生長石墨烯的影響,，并討論了其可能的生長機理。
相關(guān)產(chǎn)品,；
石墨烯負載鈀金屬納米顆粒Pd@GO
石墨烯負載鈷納米顆粒Pt@GO
石墨烯負載聚(1, 5-二氨基蒽醌)
(GNS@PDAA)納米復合材料
石墨烯負載金屬納米粒子
石墨烯負載銀納米粒子
聚乙烯醇(PVA)包覆石墨烯
聚己內(nèi)酯(PCL)包覆氧化石墨烯
聚(胺酰胺)(PAMAM)包覆石墨納米片
氧化石墨烯負載金納米棒
氧化石墨烯負載介孔二氧化硅顆粒
石墨烯負載TiO2二氧化鈦復合材料
石墨烯-半導體納米粒子復合材料
石墨烯負載ZnO氧化鋅納米粒子
石墨烯負載SnO2氧化錫納米顆粒
石墨烯負載MnO2二氧化錳納米顆粒
石墨烯負載CO3O4氧化鈷納米顆粒
石墨烯負載Fe3O4氧化鐵納米顆粒
石墨烯負載Fe2O3三氧化二鐵納米顆粒
石墨烯負載NiO氧化鎳納米顆粒
石墨烯負載Cu2O氧化亞銅納米顆粒
石墨烯負載RuO2氧化釕納米顆粒
石墨烯負載CdSe硒化鎘納米顆粒
溫馨提示：
西安齊岳生物科技有限公司供應(yīng)的石墨烯,、蛋白產(chǎn)品,，納米材料，PEG共聚物,、脂質(zhì)體等供科研,，不能用于人體實驗。（zhn2020.05.13）
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