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西安齊岳生物科技有限公司

硅襯底黑磷薄膜的介紹(高結(jié)晶性厚度尺寸可定制)

時(shí)間:2021-4-30閱讀:572
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 硅襯底黑磷薄膜的介紹(高結(jié)晶性厚度尺寸可定制)

黑磷是一種具有高載流子遷移率,、0.3~1.5 eV隨厚度可調(diào)直接帶隙以及各向異性等性質(zhì)的二維層狀半導(dǎo)體材料,,在電子和光電子器件等領(lǐng)域,如高遷移率場效應(yīng)晶體管,、室溫寬波段紅外探測器及多光譜高分辨成像等方面具有應(yīng)用,受到關(guān)注,。然而,,黑磷的大規(guī)模應(yīng)用研究迄今仍受限于大面積、薄膜的制備,。傳統(tǒng)上,,黑磷可以通過高溫高壓、汞催化或從鉍溶液中重結(jié)晶等方法來制備,。通過礦化劑輔助氣相輸運(yùn)法(CVT)則可進(jìn)一步其產(chǎn)率和結(jié)晶度,。但是,這些方法可獲得黑磷晶體塊材,,很難直接在襯底上生長黑磷薄膜,。近,我們通過脈沖激光沉積或借鑒高溫高壓法嘗試在介質(zhì)襯底上直接生長黑磷薄膜,。然而,,獲得的薄膜多為非晶態(tài),晶粒尺寸小,、遷移率等電學(xué)性能不,,離實(shí)際應(yīng)用需求相距甚遠(yuǎn)。盡管很多研究都做出了的努力,,但如何在基底上實(shí)現(xiàn)黑磷成核進(jìn)而高結(jié)晶性薄膜的可控生長依然是一大挑戰(zhàn),。

在這研究過程中,我們研究了一種新的生長策略,,引入緩沖層Au3SnP7作為成核點(diǎn),,誘導(dǎo)黑磷在介質(zhì)基底上的成核生長。在以往報(bào)道的CVT方法中,,以Au或AuSn作為前驅(qū)體生長黑磷晶體時(shí),,Au3SnP7是其中重要的中間產(chǎn)物之一。我們考慮以Au3SnP7來誘導(dǎo)黑磷成核,,主要是注意到兩點(diǎn):

1.是Au3SnP7在黑磷生長過程中可以穩(wěn)定地存在,;

2.是其(010)面的磷原子排布與黑磷(100)面具有匹配的原子結(jié)構(gòu)。

基于此,,我們通過在襯底上生成Au3SnP7來控制黑磷的成核和生長,。其中Au3SnP7的形成是將沉積了Au薄膜的硅襯底與、Sn,、SnI4前驅(qū)體一起在真空封管中加熱獲得,,其形貌通常為分散在硅襯底上的規(guī)則形狀晶體,,尺寸數(shù)百納米。在隨后的過程中,,發(fā)生P4相向黑磷相的轉(zhuǎn)變并在Au3SnP7緩沖層上外延成核,。這一假定可以從高分辨截面TEM圖像得到應(yīng)證,可以清晰看到黑磷與Au3SnP7有序共存以及它們之間原子級(jí)平滑的界面,。隨后,,在持續(xù)的磷源供給及降溫過程中,會(huì)觀察到過渡態(tài)黑磷納米片產(chǎn)物及其在硅襯底上的生長,、融合,,終獲得表面平整潔凈的連續(xù)黑磷薄膜。

在生長過程中,,P4蒸氣的過快輸運(yùn)不利于黑磷薄膜形貌,、厚度的控制。為了實(shí)現(xiàn)可控的黑磷薄膜生長,,我們設(shè)計(jì)了幾種方法來減少參與相變轉(zhuǎn)化的P4源,。其一,將置于低溫側(cè),,而黑磷薄膜的生長置于遠(yuǎn)端的高溫側(cè),。由此,升華而成的P4分子需經(jīng)歷逆溫度梯度的熱動(dòng)力學(xué)輸運(yùn)到生長的襯底端,,其輸運(yùn)速度及參與反應(yīng)的量得以控制,。此外,將多片鍍有Au膜的硅襯底疊放,,利用襯底之間狹小的間隙來擴(kuò)散進(jìn)入襯底間,、在Au3SnP7緩沖層上實(shí)際參與生長的P4分子的量。通過這些策略,,可以在硅襯底上生長出厚度從幾納米到幾百納米可調(diào)的黑磷薄膜,。隨著厚度的增加,可獲得的薄膜尺寸也相應(yīng)越大,。當(dāng)厚度約為100 nm或以上時(shí),,很容易生長出幾百微米至亞毫米大小的黑磷薄膜。

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