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一、二管
數(shù)字萬用表二管檔開路電壓約為2.8V,，紅表筆接正,，黑表筆接負，測量時提供電流約為1mA,，顯示值為二管正向壓降近似值,，單位是mV或V。硅二管正向?qū)▔航导s為0.3~0.8V,。鍺二管鍺正向?qū)▔航导s為0.1~0.3V,。并且功率大一些的二管正向壓降要小一些。如果測量值小于0.1V,，說明二管擊穿,，此時正反向都導通。如果正反向均開路說明二管PN節(jié)開路,。對于發(fā)光二管,，正向測量時二管發(fā)光，管壓降約1.7V左右,。
二,、三管
三管有兩個PN節(jié)，發(fā)射節(jié)（be）和集電節(jié)（bc）,，按測量二管的方法測量即可,。在實際測量時，每兩個管腳間都要測正反向壓降,，共要測6次,，其中有4次顯示開路，只有兩次顯示壓降值,，否則三管是壞的或是特殊三管（如帶阻三管,、達林頓三管等，可通過型號與普通三管區(qū)分開來）,。在兩次有數(shù)值的測量中,，如果黑表筆或紅表筆接同一，則該是基,，測量值較小的是集電節(jié),，較大的是發(fā)射節(jié)，因為已判斷出基,，對應可以判斷出集電和發(fā)射,。同時可以判斷：如果黑表筆接同一，則三管是PNP型,，如果紅表筆接同一,，則三管是NPN型；壓降為0.6V左右的是硅管,，壓降為0.2V左右的是鍺管,。
三、可控硅：
可控硅陽與陰及控制是開路的,，據(jù)此可以確定陽管腳和判斷可控硅是否擊穿,。可控硅控制和陰間也是PN節(jié),，但是大功率可控硅控制和陰間有一個保護電阻,，測量時顯示值為電阻上的壓降。
四,、光耦
光耦的一側(cè)是發(fā)光二管,，測量時壓降約1V左右，另外一側(cè)是三管,，有的只引出c,、e，測量正反向均截止,，如果三個腳都引出,，測量特性同上面三管（多為NPN管）。當用一個萬用表使二管正向?qū)?，此時用另外一塊萬用表測三管c對e導通壓降約為0.15V,；斷開接二管的萬用表，三管c對e截止,，說明該光耦是好的,。
