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目錄:上海屹持光電技術(shù)有限公司>>太赫茲>>太赫茲元件>> HRFZ-Si高阻抗本征硅

高阻抗本征硅
  • 高阻抗本征硅
參考價10000-50000/件
具體成交價以合同協(xié)議為準

參考價:¥10000 ~ ¥50000

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 其他品牌 品牌
  • HRFZ-Si 型號
  • 代理商 廠商性質(zhì)
  • 上海市 所在地

更新時間:2024-12-27 15:30:20瀏覽次數(shù):1074評價

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高阻抗本征硅
除了人造金剛石,,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料,。和鉆石相比,,它要便宜的多,,并且生長制造更容易,。而且他尺寸更大,,更容易制造,THz技術(shù)的快速發(fā)展,,就基于該優(yōu)點,。

產(chǎn)品簡介     

      除了人造金剛石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料,。和鉆石相比,,它要便宜的多,并且生長制造更容易,。而且他尺寸更大,,更容易制造,THz技術(shù)的快速發(fā)展,,就基于該優(yōu)點,。對于THz應(yīng)用,我們提供在1000 µm (對于更長波長,,3000甚至8000微米)透過率達到50-54%High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si),。高阻抗浮區(qū)本征硅材料,和相關(guān)光學(xué)元件,。


      合成電解質(zhì)硅的介電常數(shù)由傳導(dǎo)率決定(例如:自由電子-載流子濃度),。圖3顯示的是在1THz下,不同純度下的硅的介電常數(shù).低摻雜的介電常數(shù)接近真實值,大約等于高頻介電常數(shù),。隨著摻雜濃度的提高,,真實的介電常數(shù)將變成負數(shù),而且不能被忽略,。介電常數(shù)表征的是THz波的傳輸損耗特性,。損耗系數(shù)可以用下面的公式計算:tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數(shù)(8.85*10-12 F/m)。ε0 –硅的介電常數(shù)(11.67), R是電阻值,。例如,,1THz下,10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數(shù)為1.54*10-5,。


1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫茲時域光譜儀測試數(shù)據(jù)

高阻抗本征硅產(chǎn)品

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- 高阻抗硅球透鏡

- 高阻抗硅分束鏡

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1,,高阻硅基片                                    2,高阻硅F-P標準具 

 

3,,高阻硅太赫茲半球透鏡                                4,,高阻硅太赫茲透鏡

  

5,高阻硅鏡頭                                                   6,,高阻硅棱鏡




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