目錄:上海屹持光電技術(shù)有限公司>>太赫茲>>太赫茲元件>> HRFZ-Si高阻抗本征硅
參考價 | ¥10000-¥50000 | /件 |
參考價:¥10000 ~ ¥50000
更新時間:2024-12-27 15:30:20瀏覽次數(shù):1074評價
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產(chǎn)地類別 | 進口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
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產(chǎn)品簡介
除了人造金剛石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料,。和鉆石相比,,它要便宜的多,并且生長制造更容易,。而且他尺寸更大,,更容易制造,THz技術(shù)的快速發(fā)展,,就基于該優(yōu)點,。對于THz應(yīng)用,我們提供在1000 µm (對于更長波長,,3000甚至8000微米)透過率達到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si),。高阻抗浮區(qū)本征硅材料,和相關(guān)光學(xué)元件,。
合成電解質(zhì)硅的介電常數(shù)由傳導(dǎo)率決定(例如:自由電子-載流子濃度),。圖3顯示的是在1THz下,不同純度下的硅的介電常數(shù).低摻雜的介電常數(shù)接近真實值,大約等于高頻介電常數(shù),。隨著摻雜濃度的提高,,真實的介電常數(shù)將變成負數(shù),而且不能被忽略,。介電常數(shù)表征的是THz波的傳輸損耗特性,。損耗系數(shù)可以用下面的公式計算:tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數(shù)(8.85*10-12 F/m)。ε0 –硅的介電常數(shù)(11.67), R是電阻值,。例如,,1THz下,10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數(shù)為1.54*10-5,。
1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫茲時域光譜儀測試數(shù)據(jù)
高阻抗本征硅產(chǎn)品
- 高阻抗硅襯底/基片/窗片
- 高阻抗硅球透鏡
- 高阻抗硅分束鏡
- 高阻抗硅鏡頭
1,,高阻硅基片 2,高阻硅F-P標準具
3,,高阻硅太赫茲半球透鏡 4,,高阻硅太赫茲透鏡
5,高阻硅鏡頭 6,,高阻硅棱鏡