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ZTD-800B單晶硅爐

ZTD-900B單晶硅爐

ZTD-950B單晶硅爐

技術(shù)參數(shù)：

設(shè)備用途：

ZTD-800B單晶硅爐為生產(chǎn)太陽能電池用的單晶爐,，坩堝尺寸18-22英寸，產(chǎn)量從60-130Kg,，單晶硅棒直徑6.5-8英寸,，設(shè)備高度為6.1-6.7米，主要可生產(chǎn)主流8英寸單晶硅棒,。

本公司可提供生長工藝,，保證生長出合格的單晶硅,。設(shè)有樣機(jī),，歡迎來人參觀考察,。

ZR-12-10實(shí)驗(yàn)用中溫真空爐

詳細(xì)描述：

采用箱式爐結(jié)構(gòu)爐柜一體化設(shè)計(jì),，適用高校科研單位進(jìn)行材料的真空或保護(hù)氣氛下的熱處理,，爐內(nèi)設(shè)有一耐熱鋼爐罐,，罐內(nèi)安裝有料臺(tái)及保溫層。

主要參數(shù)如下：

1.額定功率：12kw

2.爐罐內(nèi)尺寸：160*250*400mm

3.高溫度：1000度

4.極限真空度：＜10Pa

ZR-12-11真空電阻加熱爐

設(shè)備用途：

本設(shè)備是用鎳鉻合金絲作發(fā)熱元件的實(shí)驗(yàn)用內(nèi)熱式真空熱處理爐,，爐體與控制柜一體化結(jié)構(gòu)，臥式爐體，側(cè)面打開爐門,，適用于金屬材料在高真空,、中溫條件下進(jìn)行回火、退火,、釬焊,、燒結(jié)、除氣處理,，同時(shí)也適于金屬化合物的真空熱處理用,。

設(shè)備特點(diǎn)：

整個(gè)設(shè)備為方形箱體結(jié)構(gòu)，臥式爐體,，裝取料方便,；所有動(dòng)作操作均在爐體正面操作完成，操作方便,，集控制柜與爐體一體化結(jié)構(gòu),，占地小，節(jié)約占地面積,；耗水量少,，使用方便，用戶只要水,、電齊全就可以直接使用,，集成安裝水、電,、氣接口,。

主要技術(shù)參數(shù)：

1、額定功率：12KW

2,、額定使用溫度：1100℃（氣氛保護(hù)下）

3,、大有效加熱空間：Φ120×200㎜

4、冷態(tài)極限真空度：5×10-4 Pa

5,、壓升率：≤2.0 Pa/h

6,、電源：380V/50Hz

7、充氣介質(zhì)：氬氣,、氮?dú)饣蛏倭繗錃?/span>

8,、大充氣壓力：＜0.03MPa

9、控溫精度：±1℃

ZT-50-16晶體退火爐

用途：

真空晶體退火爐是用石墨作發(fā)熱元件的立式實(shí)驗(yàn)用真空電阻爐,，爐底裝料電動(dòng)升降，供金屬化合物,、陶瓷,、無機(jī)化合物、納米材料等在真空或保護(hù)氣氛中燒結(jié)制品。

技術(shù)參數(shù)：

1,、型式：立式,，底盤下沉

2、額定功率：50±10%Kw

3,、電源電壓：三相  380V  50Hz

4,、高溫度：1600℃

5、工作區(qū)尺寸：Φ300×300

6,、升溫速率：15℃/min

7,、恒溫區(qū)溫度均勻性：≤±10℃（1400℃）

8、冷態(tài)極限真空度：6.67×10-3Pa

9,、工作真空度（空爐）：5×10-2Pa

10,、壓升率：≤2Pa/h

11、1路充氣管路,，充氣冷卻

12,、充氣壓力：＜0.03MPa（相對壓力）