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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應用領域 | 綜合 |
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RG-3-8硒化爐主要技術參數(shù):
1、額定功率:3 Kw±10%
2,、額定溫度:A區(qū)230 ℃,、B區(qū)800 ℃
3,、冷態(tài)極限真空度:6.67×10-3 Pa(在100℃溫度以下允許抽真空)
4,、壓升率:2.0 Pa/h
5,、工作區(qū)尺寸:Φ100×600 mm(直徑×長)
6、控溫區(qū)數(shù):3區(qū)
7,、保護氣氛:氬氣
9,、充氣壓力:≤500 Pa
10、電源:三相 380V 50Hz
RG-3-8硒化爐
詳細描述:
此設備主要用于銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池的硒化反應處理,。
CIGS薄膜太陽能電池首先用磁控濺射制備出銅銦鎵(CIG)薄膜預制層,,然后在此設備中用固態(tài)硒源實現(xiàn)硒化處理,從而反應生成CIGS薄膜太陽能吸收層,。
設備特點:
1,、過濾器采用德國萊寶公司結構制作,吸附力強,,便于取出清理和更換濾芯,。
2、我公司采用國內的氦質譜真空檢漏儀進行壓升率檢測,,可保證技術指標的可信和準確,,壓升率指標接近或低于國標的小值。
ZG-450D多晶硅鑄錠爐
技術參數(shù):
1.額定功率:200KW
2.常用溫度:1500℃,,高溫度:1600℃
3.冷態(tài)極限真空度:<1Pa
4.坩堝尺寸:870×870×420(L×W×H)mm
5,、大鑄錠重量:450Kg
6.移動隔熱屏大位移量:380(mm)
7.移動隔熱屏提升速度:5~100mm/h(可調)
詳細描述:
設備用途:本設備采用電阻加熱方式,底部進出料結構,。一次裝入多達450Kg/500kg(視坩堝尺寸而定)多晶硅原料,,用于多晶硅料的鑄錠。
設備特點:
1,、爐底設有防漏硅裝置及防爆裝置,;
2、溫度梯度好,,拉出硅棒效果好,,雜質少;
3,、爐底升降采用機械傳動機構,定向結晶通過爐內升降機構,,伺服機構保溫罩升降平穩(wěn),,操作方便;
4,、一種帶可升降式保溫罩的多晶硅鑄錠爐,;一種帶水冷式雙電極和軟電纜的多晶硅爐;