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5G時(shí)代重要的半導(dǎo)體材料：碳化硅（SiC）的膜厚測(cè)量
閱讀：3228 發(fā)布時(shí)間：2020-1-17作者：Kevin Hu,，優(yōu)尼康科技有限公司技術(shù)工程師
隨著5G大潮的到來，新一代的移動(dòng)通信產(chǎn)品大多具備高功率,，耐高溫等特性,，傳統(tǒng)原料中的硅(Si)無法克服在高溫、高壓,、高頻中的損耗,，逐漸被淘汰，跟不上時(shí)代的發(fā)展,，無法滿足現(xiàn)代工藝的要求,，這就使得碳化硅（SiC）新工藝在半導(dǎo)體行業(yè)嶄露頭角,。
目前SiC 產(chǎn)品格局還處于三足鼎立的狀態(tài)，美國(guó),、歐洲,、日本占據(jù)產(chǎn)值的八成，其中又以美國(guó)獨(dú)大,，中國(guó)雖以即將進(jìn)入5G時(shí)代,，但是半導(dǎo)體在SiC方面仍屬于發(fā)展初期，目前在基底,、磊晶和零組件方面均有布局,。
為了把控和檢測(cè)產(chǎn)品工藝，提高技術(shù)生產(chǎn)水平,，SiC工藝中管控各種膜厚厚度顯得尤為重要,。
我們優(yōu)尼康提供的Filmetrics的光學(xué)膜厚儀，因?yàn)楣鈱W(xué)測(cè)量具有快速無損等優(yōu)點(diǎn),，已經(jīng)廣泛使用在半導(dǎo)體相關(guān)的企業(yè)中,，尤其在近新興的SiC器件量測(cè)應(yīng)用中。例如國(guó)內(nèi)SiC生產(chǎn)的企業(yè),，中車,、華潤(rùn)上華、啟迪新材料等等,。
SiC工藝中常見測(cè)量膜層有：SiO2/PESiO2,、SiNx、C膜,、多晶硅,、非晶硅、光刻膠,、BPSG/USG等,。
為了更好的解決不斷出現(xiàn)的SiC新工藝上的測(cè)量問題，也為了能夠幫助半導(dǎo)體企業(yè)更快更好的提高制作工藝,，我們優(yōu)尼康公司愿意和廣大廠家一起，為中國(guó)芯片添磚加瓦,，有任何相關(guān)的測(cè)量需求,，均可來電和我們技術(shù)工程師溝通探討。