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在混合集成電路電磁兼容性設(shè)計時首先要做功能性檢驗,，在方案已確定的電路中檢驗電磁兼容性指標能否滿足要求，若不滿足就要修改參數(shù)來達到指標,，如發(fā)射功率,、工作頻率、重新選擇器件等,。其次是做防護性設(shè)計,，包括濾波、屏蔽,、接地與搭接設(shè)計等,。第三是做布局的調(diào)整性設(shè)計，包括總體布局的檢驗,，元器件及導(dǎo)線的布局檢驗等,。通常，電路的電磁兼容性設(shè)計包括：工藝和部件的選擇,、電路布局及導(dǎo)線的布設(shè)等,。混合集成電路有三種制造工藝可供選擇，單層薄膜,、多層厚膜和多層共燒厚膜,。薄膜工藝能夠生產(chǎn)高密度混合電路所需的小尺寸、低功率和高電流密度的元器件,，具有高質(zhì)量,、穩(wěn)定、可靠和靈活的特點,，適合于高速高頻和高封裝密度的電路中,。但只能做單層布線且成本較高。