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產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
特點(diǎn)：
原子層量級的檢測靈敏度
*的采樣方法,、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜,，膜厚精度達(dá)到0.05nm,。
秒級的快速測量
快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測,、自動化的測量軟件,，在保證高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測量,。
一鍵式儀器操作
對于常規(guī)操作,，只需鼠標(biāo)點(diǎn)擊一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的測量、建模,、擬合和分析過程,，豐富的模型庫和材料庫也同時(shí)方便了用戶的高級操作需求。
應(yīng)用：
ES01系列尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā),。
ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應(yīng)用場合,。比如：
- ES01V適合于測量電介質(zhì)材料、無定形半導(dǎo)體,、聚合物等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測,。
- ES01U適合于很大范圍的材料種類,，包括對介質(zhì)材料、聚合物,、半導(dǎo)體,、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體的臨界點(diǎn),，這對于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用,。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級到10微米左右）。
ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度,、折射率n及消光系數(shù)k,。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體,、集成電路,、顯示技術(shù)、太陽電池,、光學(xué)薄膜,、生命科學(xué)、化學(xué),、電化學(xué),、磁介質(zhì)存儲、平板顯示,、聚合物及金屬表面處理等,。典型應(yīng)用如：
- 半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜,、高分子,、光刻膠、硅,、PZT膜,，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）,；
- 平板顯示：TFT,、OLED、等離子顯示板,、柔性顯示板等,；
- 功能性涂料：增透型、自清潔型,、電致變色型,、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類,、Al2O3表面鍍層和處理等,；
- 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜,、SAM膜,、蛋白子分子層、薄膜吸附,、表面改性處理,、液體等。
ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k,。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬,、半導(dǎo)體、介質(zhì)等）,，或液體（純凈物或混合物）,。典型應(yīng)用包括：
- 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。
技術(shù)指標(biāo)：
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
光譜范圍 | ES01V：370-1000nm ES01U：245-1000nm |
光譜分辨率 | 1.5nm |
單次測量時(shí)間 | 典型10s,取決于測量模式 |
準(zhǔn)確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時(shí)） |
膜厚測量重復(fù)性（1） | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率精度（1） | 1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
入射角度 | 40°-90°自動調(diào)節(jié),，重復(fù)性0.02° |
光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有*的準(zhǔn)確度） |
樣品臺尺寸 | 可放置樣品尺寸：直徑170 mm |
樣品方位調(diào)整 | 高度調(diào)節(jié)范圍：0-10mm |
二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
樣品對準(zhǔn) | 光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng) |
軟件 | •多語言界面切換 |
•預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用 | |
•安全的權(quán)限管理模式（管理員,、操作員） | |
•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫 | |
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫 | |
選配件 | 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 |
注：(1)測量重復(fù)性：是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差,。