InGaAs和Ge光電二極管探測器都普遍應(yīng)用于紅外（近紅外）波段,。Newport提供各種可溯源NIST的InGaAs和Ge探測器（例如：低功率校準光電二極管探測器918D和818系列）。這些探測器的參數(shù)很相近,，除了一些關(guān)鍵部分：如分流電阻和芯片電容,。然而，這些差異導(dǎo)致了很大的性能和價格差異,。
分流電阻
分流電阻hao是無限大,，但是每個光電二極管有一個有限值，產(chǎn)生Johnson噪聲,，這個Johnson噪聲跟分流電阻成反比,。因此，為了小化噪聲,，需要在測量系統(tǒng)中設(shè)計大可能的電阻值,。Ge和InGaAs有所不同，InGaAs探測器的分流電阻達到10M?量級,，而Ge探測器的分流電阻在k?量級,，小了若干個量級。因此,，Ge探測器會比InGaAs探測器呈現(xiàn)出更高的噪聲,。
有效面積越大越好？
有些廠商的Ge探測器有效面積很大,，但用戶們需注意,，更大的有效面積會導(dǎo)致更大的暗電流和更小的分流電阻，越小的分流電阻會引起更高的熱噪聲,，越大的暗電流會引起更高的散粒噪聲,。Ge的暗電流比InGaAs的暗電流高很多，大的有效面積可能引入高噪聲電流,。Newport的Ge探測器的有效面積為3mm,，相比于5mm的二極管，如果其他都相同,，3mm二極管的分流電阻值會大3倍,，而暗電流則小3倍。
Newport 918D/818系列InGaAs和Ge探測器的參數(shù)對比
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