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化學氣相沉積系統(tǒng)MPCVD具有什么普遍的特點
微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)MPCVD爐,，通過等離子增加前驅體的反應速率,，降低反應溫度。適合制備面積大,、均勻性好,、純度高、結晶形態(tài)好的高質量硬質薄膜和晶體,。
化學氣相沉積法之所以得到發(fā)展,，是和它本身的特點分不開的，其特點如下：
1,、沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜,、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜,，以及陶瓷或化合物層,。
2、CVD反應在常壓或低真空進行,，鍍膜的繞射性好,，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆,。
3,、能得到純度高,、致密性好、殘余應力小,、結晶良好的薄膜鍍層,。
4、由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多,，由此可以得到純度高,、結晶*的膜層，這是有些半導體膜層所必須的,。
5,、利用調節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學成分,、形貌,、晶體結構和晶粒度等。
6,、設備簡單,、操作維修方便。
7,、反應溫度太高,，一般要850-1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫,。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度,。
化學氣相沉積法之所以得到發(fā)展,，是和它本身的特點分不開的，其特點如下：
1,、沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜,、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜,，以及陶瓷或化合物層,。
2、CVD反應在常壓或低真空進行,，鍍膜的繞射性好,，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆,。
3,、能得到純度高,、致密性好、殘余應力小,、結晶良好的薄膜鍍層,。
4、由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多,，由此可以得到純度高,、結晶*的膜層，這是有些半導體膜層所必須的,。
5,、利用調節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學成分,、形貌,、晶體結構和晶粒度等。
6,、設備簡單,、操作維修方便。
7,、反應溫度太高,，一般要850-1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫,。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度,。