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北京亞科晨旭科技有限公司
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超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號CRESTEC

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時間:2024-09-25 15:00:55瀏覽次數(shù):1756次

聯(lián)系我時,,請告知來自 化工儀器網(wǎng)
應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,航空航天,電氣
納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作的方法之一。

CRESTEC CABL 系列采用專業(yè)的恒溫控制系統(tǒng),,使得整個主系統(tǒng)的溫度保持恒定,,再加上主系統(tǒng)內(nèi)部精密傳感裝置,,使得電子束電流穩(wěn)定性,電子束定位穩(wěn)定性,,電子束電流分布均一性都得到了大的提高,,其性能指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它廠家的同類產(chǎn)品,在長達(dá) 5 小時的時間內(nèi),,電子束電流和電子束定位非常穩(wěn)定,,電子束電流分布也非常均一。

 

 

由于 EBL 刻寫精度很高,,因此寫滿整個 Wafer 需要比較長的時間,,因此電子束電流,電子束定位,, 電子束電流分布均一性在長時間內(nèi)的穩(wěn)定性就顯得尤為重要,,這對大范圍內(nèi)的圖形制備非常關(guān)鍵。

 

CRESTEC CABL 系列采用其*的技術(shù)使其具有*的電子束穩(wěn)定性以及電子束定位精度,,在大范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)圖形的高精度拼接和套刻,。

 

 

Stitching accuracy

50nm (500μm sq., μ+ 3σ)

 

20nm (50μm sq., μ+ 2σ)

 

Overlay accuracy

50nm (500μm sq., μ+ 3σ)

 

20nm (50μm sq., μ+ 2σ)

 

 
 

Stitching accuracy for slant L&S 10nm

 

該圖是在 2 英寸 wafer 上,采用 50 um 的圖案進(jìn)行拼接,,寫滿整個片子,,其拼接精度低于 10 nm.實(shí)驗室數(shù)據(jù))。

CRESTEC CABL 系列還可以加工制備 10 nm 以下的線條,,無論半導(dǎo)體行業(yè)還是在其它領(lǐng)域

CRESTEC 的電子束光刻產(chǎn)品都發(fā)揮了巨大的作用,。

 

主要特點(diǎn):

1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的 TFE 電子槍

2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)                                      3.采用場尺寸調(diào)制技術(shù),電子束定位分辨率(address size)可達(dá) 0.0012nm

4.采用軸對稱圖形書寫技術(shù),圖形偏角分辨率可達(dá) 0.01mrad

5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,,如微納器件加工,,Si/GaAs 兼容工藝,研究用掩膜制造,,納米加工(例如單電子器件,、量子器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),,圖形線寬和圖形位移測量等,。

 

 

 

超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列的型號包括:

CABL-UH90 (90keV) CABL-UH110 (110keV) ,、CABL-UH130 (130keV)

 

技術(shù)參數(shù):

加速電壓:高 130keV

單段加速能力達(dá)到 130keV,,盡量減少電子槍的長度超短電子槍長度,無微放電

電子束直徑<1.6nm 小線寬<7nm

雙熱控制,,實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定直寫能力

 

 

 

CABL-UH130kV)系列

由于較高的加速電壓,,EB抗蝕劑的前向散射較小。 CABL-UH模型的準(zhǔn)確度低于10 nm,。您可以根據(jù)自己的需要選擇90kV,,HOkV130kV

光束直徑:<1.6nm

小線寬:7 nm(在130kV時)

加速電壓:130 kV,,110 kV90 kV

載物臺尺寸:8英寸晶圓(可以使用少于8英寸晶圓的任何其他晶圓)

我的特色

♦Vacc:大130kV25-130kV,,5kV步進(jìn))

單級加速能力高達(dá)130kV,以小化EOC尺寸

無放電電子槍

光束直徑:> 1.6nm

細(xì)線能力:<7nm

發(fā)射極和陽極之間的靜電透鏡設(shè)計為在消隱電極的中心實(shí)現(xiàn)非常低的像差和近距離交叉圖像

使用雙熱控制器實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定的寫入能力

I規(guī)格

電子發(fā)射器/

加速電壓TFEZrO / WZ25?130kV

小光束直徑/

小線寬1.6nm / 7.0nm

掃描方式矢量掃描(x,,y)(標(biāo)準(zhǔn))

矢量掃描(r,,6),光柵掃描,,點(diǎn)掃描(可選)

高級光刻功能(可選)場尺寸調(diào)制光刻,,軸向?qū)ΨQ圖案光刻

字段大小30 pmZ60pmZ,、120prrZ,,SOOpmZ600pm3(標(biāo)準(zhǔn))1200pmZi,,2400pmZi(可選)

20,000 x20,000點(diǎn),,60,000 x 60OO點(diǎn),,96,000 x 96,,OO點(diǎn),

像素數(shù)240,000x 240,,OO點(diǎn)©矢量掃描(標(biāo)準(zhǔn))

10,000xl0,000dot @ R3Ster掃描(可選)

小地址大小10nm @ 600pmZfield,,2nm @ 120pmZfield(標(biāo)準(zhǔn))

0.0012nm@600pmZfield(可選)

尺寸為4,、68英寸的工件>(其他尺寸和其他形狀的工件可以通過我們的靈活裝置安裝)

拼接業(yè)紜蘇50nm3u@ 600pmZ,,20nm2a@ 60pmZ

重疊精度50nm3o@ 600pmZ

CAD軟件CAD(標(biāo)準(zhǔn)),,GDS n轉(zhuǎn)換(可選),DXF轉(zhuǎn)換(可選)

操作系統(tǒng)Windows

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