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北京亞科晨旭科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第7年

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850LT SOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)EVG

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2024-09-25 14:54:29瀏覽次數(shù):749次

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EVG®850LT SOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),,自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),,適用于多種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用

EVG®850 LT

Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

EVG®850LT   SOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)

 

自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),,適用于多種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用

 

晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850 LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)和具有LowTemp™等離子活化的直接晶圓鍵合,,融合了熔合的所有基本步驟-從清潔,,等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此,,經(jīng)過實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300 mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,,高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。

 

特征

利用EVG的LowTemp™等離子激活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用       ,;生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作(錯(cuò)誤加載,SMIF或FOUP),;         無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔,;                    ;   機(jī)械平整或缺口對(duì)齊的預(yù)粘合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸)100-200,、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)粘接室

對(duì)齊類型:平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50 µm,,θ:±0.1°

結(jié)合力:5 N

鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng):9x10-2 mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3 mbar(渦輪泵選件)

LowTemp™等離子激活模塊

2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體:N2和O2,以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),,稀有氣體(Ar,,He,Ne等)和合成氣(N2,,Ar和H4含量

通用質(zhì)量流量控制器:多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn),,可對(duì)配方進(jìn)行編程,流速可達(dá)到20.000 sccm

真空系統(tǒng):9x10-2 mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3 mbar(渦輪泵選件),,高頻RF發(fā)生器和匹

 

配單元:清潔站,;清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,,超音速面積傳感器,,噴嘴,刷子(可選),;    腔室:由PP或PFA制成

清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),,NH4OH和H2O2(大)。 2%濃度(可選)

旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),,由不含金屬離子的清潔材料制成,;

旋轉(zhuǎn):3000 rpm(5 s)

清潔臂:多5條介質(zhì)線(1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線)

可選功能:ISO 3迷你環(huán)境(根據(jù)ISO 14644);  LowTemp™等離子活化室

紅外檢查站

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