日本巖崎IWATSU 半導(dǎo)體曲線圖示儀 IGBT測(cè)試系統(tǒng)CS-3000系列  CS-3100 3200 3300

巖崎IWATSU CS-3000

IWATSU巖崎（巖通計(jì)測(cè)） CS-3000大功率晶體管特性圖示儀,，

分為CS-3100/3200/3300zui大峰值電壓：3000V，zui大峰值電流：1000 A,，

支持漏電流（LEAKAGE）測(cè)試模式（光標(biāo)分辨率：1 pA）,，測(cè)量IGBT、MOSFETVDMOS,、

三極管等功率半導(dǎo)體的耐壓,、漏電流、導(dǎo)通電阻,、輸出曲線等參數(shù),。

zui大峰值電壓：3000 V（高電壓模式，適合所有型號(hào)） zui大峰值電流：1000 A（CS-3300高電流模式） 所有型號(hào)均支持漏電流（LEAKAGE）測(cè)試模式（光標(biāo)分辨率：1 pA） USB接口（保存屏幕圖像和設(shè)置條件） LAN接口（遠(yuǎn)程控制）

產(chǎn)品系列

用戶友好的測(cè)量屏幕

圖形配置選擇	晶體管I-V特性示例（Trace模式）
高電流脈沖模式（波模式）下的Vbe和Ic波形

巖崎IWATSU CS-3000 脈沖寬度/測(cè)量點(diǎn) - 脈沖寬度可在50 - 400 μs范圍內(nèi)變化,。 可以測(cè)量點(diǎn)（分辨率為10 μs/步進(jìn)）,。 數(shù)據(jù)點(diǎn)上限 每次跟蹤可以20 - 1000個(gè)點(diǎn)。 階梯信號(hào)發(fā)生器 電流模式 幅度范圍：50 nA - 200 mA,，共21個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5大電流：±2A/偏移：步進(jìn)幅度設(shè)置的±10倍 電壓模式 幅度范圍：50 mV - 2 V,，共6個(gè)范圍,，步進(jìn)為1-2-5 大電壓：±40V/偏移：步進(jìn)幅度設(shè)置的±10倍 步進(jìn)率 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍（AC模式下為50 Hz或60 Hz） 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍（AC模式下為50 Hz或60 Hz）脈沖：脈沖變化范圍為80ms - 1000 ms。（低頻率受大峰值功耗設(shè)置限制,。）  脈沖步進(jìn) 脈沖寬度可在50μs - 400 μs范圍內(nèi)變化（分辨率為10μs）,。 步進(jìn)數(shù) 0 - 20步 AUX輸出   范圍 關(guān)閉，-40V - +40 V,，按100mV分辨率變化 垂直軸 * 集電極電流 范圍 高電壓模式：1 μA/div - 2 A/div,，共20個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5,。 *- 高電流模式：100 mA/div - 50 A/div,，共9個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5,。 高電流模式：100 mA/div - 100 A/div,，共10個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5,。* 精度 2%讀數(shù) + 0.05 × VERT/div設(shè)置值或更低（下面的內(nèi)部環(huán)路校正錯(cuò)誤必須加至左邊的公式中,。）*3 kV范圍：6 μA、300 V 范圍：1 μA, 30 V 范圍：0.5 μA（僅針對(duì)各電壓范圍面積的10%或以上,。） * 發(fā)射極電流（泄漏） 范圍 1 nA/div - 2 mA/div,，共20個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5 * 精度 2%讀數(shù)+ 0.05 × VERT/div設(shè)置值 + 1 nA 或更低 水平軸   集電極電壓 范圍 高電壓模式：50 mV/div - 500 V/div,，共13個(gè)范圍,，步進(jìn)為1-2-5 - 高電流模式：50 mV/div - 5 V/div，共7個(gè)范圍,，切換步進(jìn)為1-2-5 ,，精度 2%讀數(shù) + 0.05 × HORIZ/div 設(shè)置值或更高 ，基極/發(fā)射極電壓 范圍 50 mV/div - 5 V/div,，共7個(gè)范圍,，步進(jìn)為1-2-5 ，精度 2%讀數(shù) + 0.05 × HORIZ/div 設(shè)置值或更高