半導體曲線圖示儀 CS-3100 CS-3200 CS-3300 

日本巖崎IWATSU 半導體曲線圖示儀 IGBT測試系統(tǒng)CS-3000系列  CS-3100 CS-3200 CS-3300

一,、產(chǎn)品簡介

IWATSU巖崎（巖通計測） CS-3000大功率晶體管特性圖示儀,，分為CS-3100/3200/3300,zui大峰值電壓：3000V，zui大峰值電流：1000 A,，支持漏電流（LEAKAGE）測試模式（光標分辨率：1 pA）,，測量IGBT、MOSFET\VDMOS,、三極管等功率半導體的耐壓,、漏電流、導通電阻,、輸出曲線等參數(shù), IWATSU巖崎（巖通計測） CS-3000大功率晶體管特性圖示儀,，分為CS-3100/3200/3300,zui大峰值電壓：3000V，zui大峰值電流：1000 A,，支持漏電流（LEAKAGE）測試模式（光標分辨率：1 pA）,，測量IGBT,、MOSFET\VDMOS、三極管等功率半導體的耐壓,、漏電流,、導通電阻、輸出曲線等參數(shù)

二,、半導體曲線圖示儀特點

zui大峰值電壓：3000 V（高電壓模式,，適合所有型號） zui大峰值電流：1000 A（CS-3300高電流模式） 所有型號均支持漏電流（LEAKAGE）測試模式（光標分辨率：1 pA） USB接口（保存屏幕圖像和設置條件） LAN接口（遠程控制）

產(chǎn)品系列

用戶友好的測量屏幕

圖形配置選擇	晶體管I-V特性示例（Trace模式）
高電流脈沖模式（波模式）下的Vbe和Ic波形

三,、半導體曲線圖示儀詳細參數(shù)

半導體特性曲線圖示儀 CS-3000系列 (符合 UL 規(guī)格)規(guī)格 項目 CS-3100 CS-3200 CS-3300 集電極電源   模式 高電壓 AC、±全波整流,、± DC,、±LEAKAGE 大電流 - 脈沖   zui大峰值功率 120 mW、1.2 W,、12 W,、120 W、390 W *可以選擇390 W（不含3000 V范圍下的zui大峰值電壓設置）,。 - 大電流模式（400 W,、4 kW） 大電流模式（400 W、4 kW,、10 kW）   高電壓模式 zui大峰值電流 （zui大峰值脈沖電流） zui大峰值電壓 75 mA (150 mA) 3000 V（2500 V,，AC） 750 mA (1.5 A) 300 V 7.5 A (15 A) 30 V   環(huán)路校正 測試臺的集電極引腳與接地之間的雜散電容由高電壓模式下的硬件提供補償，還可提供數(shù)字補償,。   大電流模式（脈沖） - zui大峰值電流 zui大峰值電壓 400 A 40 V 40 A 40 V zui大峰值電流 zui大峰值電壓 1000 A 40 V 400 A 40 V 40 A 40 V   脈沖寬度/測量點 - 脈沖寬度可在50 - 400 μs范圍內(nèi)變化,。 可以測量點（分辨率為10 μs/步進）。   數(shù)據(jù)點上限 每次跟蹤可以20 - 1000個點,。 階梯信號發(fā)生器   電流模式 幅度范圍：50 nA - 200 mA,，共21個范圍，步進為1-2-5 zui大電流：±2A/偏移：步進幅度設置的±10倍   電壓模式 幅度范圍：50 mV - 2 V,，共6個范圍,，步進為1-2-5  zui大電壓：±40V/偏移：步進幅度設置的±10倍   步進率 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍 （AC模式下為50 Hz或60 Hz） 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍（AC模式下為50 Hz或60 Hz） 脈沖：脈沖變化范圍為80ms - 1000 ms。 （zui低頻率受zui大峰值功耗設置限制,。）   脈沖步進 脈沖寬度可在50μs - 400 μs范圍內(nèi)變化（分辨率為10μs）,。   步進數(shù) 0 - 20步 AUX輸出   范圍 關閉，-40V - +40 V,，按100mV分辨率變化 垂直軸   集電極電流 范圍 高電壓模式：1 μA/div - 2 A/div,，共20個范圍,，步進為1-2-5。 - 高電流模式：100 mA/div - 50 A/div,，共9個范圍,，步進為1-2-5。 高電流模式：100 mA/div - 100 A/div,，共10個范圍,，步進為1-2-5。 精度 2%讀數(shù) + 0.05 × VERT/div設置值或更低（下面的內(nèi)部環(huán)路校正錯誤必須加至左邊的公式中,。） 3 kV范圍：6 μA,、300 V 范圍：1 μA, 30 V 范圍：0.5 μA（僅針對各電壓范圍面積的10%或以上。）   發(fā)射極電流（泄漏） 范圍 1 nA/div - 2 mA/div,，共20個范圍,，步進為1-2-5 精度 2%讀數(shù)+ 0.05 × VERT/div設置值 + 1 nA 或更低 水平軸   集電極電壓 范圍 高電壓模式：50 mV/div - 500 V/div，共13個范圍,，步進為1-2-5 - 高電流模式：50 mV/div - 5 V/div,，共7個范圍，切換步進為1-2-5 精度 2%讀數(shù) + 0.05 × HORIZ/div 設置值或更高   基極/發(fā)射極電壓 范圍 50 mV/div - 5 V/div,，共7個范圍,，步進為1-2-5 精度 2%讀數(shù) + 0.05 × HORIZ/div 設置值或更高 其他   監(jiān)視器 8.4英寸彩色TFT液晶屏（SVGA 800 x 600像素）   數(shù)據(jù)保存/讀取 內(nèi)置：存儲器（設置：256，REF波形： 4） 外置：移動存儲器（連接至USB端口） （設置,、波形保存/再調(diào)用,、屏幕硬拷貝）   USB 1個端口(USB1.1)   遠程控制 通過局域網(wǎng)進行遠程控制：1個端口(100BASE-TX)   電源/功耗 電源輸入范圍：100 - 240 V AC， 50/60 Hz 功耗：500 VA   配件 CS-301（S型測試臺）,、 CS-500（測試適配器）,、 操作手冊、 電源線 CS-302（M型測試臺）,、 CS-500（測試適配器）、 線束,、 操作手冊,、 電源線 機械部分   尺寸(mm) 424 (長) x 555.2 (寬) x 221 (H)（不含外部凸出部分） 424 (長) x 555.2 (寬) x 354.5 (H)  （不含外部凸出部分）   重量 約30 kg（不含選配件） 約45 kg（不含選配件）   環(huán)境條件 工作溫度：0 - +40 °C、 保證性能溫度：+10 - +35 ℃

	顯示屏
	8.4英寸亮麗屏可以顯示詳細的波形情況,。采用大尺寸屏幕,，可以顯示菜單和參數(shù)而不影響波形網(wǎng)格。
	連接性
	CS-3000系列前面板上配有USB端口,，方便生成報告,。按下復制（Copy）按鈕即可將屏幕截圖保存到USB設備。
	讀出顯示屏
	讀出顯示屏采用不同顏色代表不同功能,，操作設置一目了然,。
	斷路器
	前面板上分別提供高電壓（所有型號）和高電流（CS-3200/3300）斷路器,。
	菜單操作
	使用功能旋鈕和功能鍵來操作菜單。
	復制(COPY)按鈕
	配置(CONFIGURATION)按鈕
	用于顯示連接和信號應用狀態(tài),。
	階梯發(fā)生器
	使用該旋鈕可以設置步進和偏移,。
	查看/脈沖(VIEW/PULSE)按鈕
	用于切換跟蹤(TRACE)與波形(WAVE)視圖。 在波形視圖下,，屏蔽顯示應用電壓和電流的時間軸波形,，常規(guī)曲線跟蹤器無法觀察到這種波形。
	垂直(VERTICAL)和水平(HORIZONTAL)旋鈕
	這些旋鈕安裝在易于操作的地方,。
	變量(VARIABLE)旋鈕
	用于調(diào)節(jié)集電極電源的輸出電壓,。 采用耐用型旋鈕適合頻繁使用。

四,、應用說明及功能配置

電流和電壓脈沖在高電流模式下的應用

		應用電流和電壓的脈沖寬度以及測量點額定可設定為50 - 400 μs之間（CS-3200和CS-3300）,。

MOSFET“電流”和“電壓”特性測量示例

可選擇“掃描類別”(SWEEP TYPE)

CS-800半導體參數(shù)搜索（可選）

■限制掃描(LIMIT SWEEP) 如果在“掃描”操作前了電壓和電流限值，操作會在超過限值后的下一個測量點停止執(zhí)行,。

	■Vth和hFE設置 Vth和hFE可以自動測量,。
Vth自動測量示例。

遠程工具

如果因安全原因不允許使用USB存儲器,，可以通過局LAN將屏幕截圖,、CSV格式測量結(jié)果及其他數(shù)據(jù)直接傳輸?shù)絺€人電腦上。   * 免費提供遠程操作軟件,。但使用該軟件時必須安裝NI VISA庫（需要收費）,。

CS-810半導體參數(shù)測量（選件）