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 在半導(dǎo)體制造中，快速熱處理(RTP)被認(rèn)為是半導(dǎo)體制程的一個重要步驟。因?yàn)?/span>半導(dǎo)體材料在晶體生長和制造過程中,，由于各種原因會出現(xiàn)缺陷、雜質(zhì),、位錯等結(jié)構(gòu)性缺陷，導(dǎo)致晶格不完整,，施加電場后的電導(dǎo)率較低,。 

需要通過RTP快速退火爐進(jìn)行退火處理，可以使材料得到修復(fù),，結(jié)晶體內(nèi)部重新排列,，可以消除硅片中的應(yīng)力，激活或遷移雜質(zhì),，使沉積或生長的薄膜更加致密化,，并修復(fù)硅片加工中的離子注入損傷。RTP快速退火爐通常還用于離子注入退火,、ITO鍍膜后快速退火,、氧化物和氮化物生長等應(yīng)用。

桌面型快速退火爐-RTP-Table-6

RTP-Table-6為桌面型6英寸晶圓快速退火爐,，使用上下兩層紅外鹵素?zé)艄?作為熱源加熱,，內(nèi)部石英腔體保溫隔熱，腔體外殼為水冷鋁合金,，使得制品加熱均勻,，且表面溫度低。6英寸晶圓快速退火爐采用PID控制,，系統(tǒng)能快速調(diào)節(jié)紅外鹵素?zé)艄艿妮敵龉β?，控溫更加精?zhǔn)。

桌面型快速退火爐的功能特點(diǎn)

①極快的升溫速率：RTP快速退火爐的裸片升溫速率是150℃/s,，大大縮短了熱處理時間,。

②精確的溫度控制：配備高精度的溫度傳感器和控制系統(tǒng)，確保溫度的精確性和穩(wěn)定性,。

③多樣化的氣氛選項(xiàng)：支持多種氣體氣氛,，如氮?dú)狻鍤獾?，滿足不同材料的熱處理需求,。

④緊湊的桌面式設(shè)計(jì)：適合實(shí)驗(yàn)室和小型生產(chǎn)環(huán)境，節(jié)省空間,，便于移動和部署,。

除了以上功能特點(diǎn)，在半導(dǎo)體制造的快速熱退火工藝步驟中,，測量晶圓的溫度是關(guān)鍵,。如果測量不準(zhǔn)確,，可能會出現(xiàn)過熱和溫度分布不均勻的情況，這兩者都會影響工藝的效果,。因此,，晟鼎桌面型快速退火爐配置測溫系統(tǒng)，硅片在升溫,、恒溫及降溫過程中精確地獲取晶圓表面溫度數(shù)據(jù),，誤差范圍控制在±1℃以內(nèi)。

桌面型快速退火爐的應(yīng)用

1. 晶體結(jié)構(gòu)優(yōu)化：在加熱階段,，高溫有助于晶體結(jié)構(gòu)的再排列,。這可以消除晶格缺陷，提高晶體的有序性,，從而改善半導(dǎo)體材料的電子傳導(dǎo)性能,。

2. 雜質(zhì)去除：高溫RTP快速退火可以促使雜質(zhì)從半導(dǎo)體晶體中擴(kuò)散出去，減少雜質(zhì)的濃度,。這有助于提高半導(dǎo)體器件的電子特性,，減少雜質(zhì)引起的能級或電子散射。

3. 襯底去除：在CMOS工藝中,，快速退火爐可用于去除襯底材料,，如氧化硅或氮化硅，以形成超薄SOI（硅層上絕緣體）器件,。

4. 應(yīng)力消除：高溫退火還有助于減輕半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部應(yīng)力,，從而降低了晶體缺陷的形成，提高了材料的穩(wěn)定性和可靠性,。