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EMTEST拋負(fù)載模擬器LD200N概述

LD 200N 包含完成全兼容測(cè)試的各項(xiàng)要素,。它能夠依照 ISO 7637 和許多其他國(guó)際以及汽車廠家標(biāo)準(zhǔn)要求產(chǎn)生所需高能量脈沖,，通過(guò)儲(chǔ)能電容向成形網(wǎng)絡(luò)放電。波形衰減符合 ISO 7637-2:2004 Annex E 細(xì)則的雙指數(shù)函數(shù)要求,。

LD 200N 是一臺(tái)包含一個(gè) 60 V / 30 A 的直流耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)的獨(dú)立設(shè)備,，但同時(shí)也能簡(jiǎn)單快速地集成到一整套測(cè)試系統(tǒng)中。

預(yù)編程的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試程序?yàn)橛脩籼峁┝俗畲蟮姆奖?。用戶可以通過(guò)自由編程模式輕松設(shè)置所需時(shí)間參數(shù)和峰值電壓,，從而產(chǎn)生自定義的拋負(fù)載脈沖。

通過(guò)內(nèi)置的限幅拋負(fù)載模塊,，LD 200N 可按照預(yù)先設(shè)定的時(shí)間參數(shù)和限幅電壓產(chǎn)生限幅拋負(fù)載脈沖,。

操作

易于操作

通過(guò)前面板菜單和功能鍵，用戶可以快速,、準(zhǔn)確地編輯測(cè)試程序,。控制光標(biāo)用于對(duì)已編定測(cè)試程序的所有測(cè)試參數(shù)進(jìn)行快速控制,，使測(cè)試過(guò)程變得非常簡(jiǎn)單,，并確保每一測(cè)試步驟都能夠正確無(wú)誤地進(jìn)行。

應(yīng)用

LD 200N – 小型高能量拋負(fù)載發(fā)生器

拋負(fù)載脈沖模擬電瓶與發(fā)電機(jī)之間的連接突然斷開(例如：由腐蝕所造成)的情況,。由于斷開了與電瓶負(fù)載的鏈接,，發(fā)電機(jī)產(chǎn)生了過(guò)壓沖擊。這樣的拋負(fù)載脈沖為高能量脈沖,，具有很強(qiáng)的破壞性,。LD 200N 模擬這種高能量脈沖，持續(xù)時(shí)間達(dá)數(shù)百毫秒,。 LD 200N 所產(chǎn)生的拋負(fù)載脈沖滿足 ISO 7637,， ISO 16750-2，SAE J1113,，SAE J1455,，JASO 以及眾多汽車廠家標(biāo)準(zhǔn)，例如 Ford，Chrysler,，Renault,，PSA，NISSAN 等等,。通過(guò)內(nèi)置限幅電路,，LD 200N 還能產(chǎn)生符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和汽車廠家標(biāo)準(zhǔn)的限幅拋負(fù)載脈沖。

EMTEST拋負(fù)載模擬器LD200N特點(diǎn)

★ 符合 ISO 7637,，ISO 16750-2,，SAE J1113，SAE J1455,，JASO,，Nissan 以及大多數(shù)汽車廠家標(biāo)準(zhǔn) 的拋負(fù)載模擬器
★ 可產(chǎn)生限幅拋負(fù)載脈沖
★ 內(nèi)置 0.5 – 38 ohm 源阻抗，可選步長(zhǎng) 0.1 ohm
★ 脈沖持續(xù)時(shí)間最長(zhǎng)可達(dá) 1,200 ms
★ 內(nèi)置 80 V / 30 A 耦合網(wǎng)絡(luò),，并可拓展到 200 A
★ 前面板操作
★ 自由編程模式
★ USB 和 GPIB 接口