Optodiode的光電探測(cè)器陣列可以在紫外、可見,、近紅外光中進(jìn)行響應(yīng),,Opto Diode光電探測(cè)器陣列包括AXUV16ELG光電二極管陣列和AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列這兩個(gè)型號(hào)
Optodiode的光電探測(cè)器陣列
AXUV16ELG光電二極管陣列,Opto Diod光電探測(cè)器陣列
Opto Diode提供標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的多元素或陣列探測(cè)器,,以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV,、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)點(diǎn)
Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號(hào),,采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝,是電子檢測(cè)的理想選擇,。有保護(hù)性蓋板,,以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線連接。Opto Diode光電探測(cè)器陣列可以在紫外,、可見,、近紅外光中進(jìn)行響應(yīng),從典型的紫外-可見-近紅外光子響應(yīng)性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W,。
光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2,,AXUV16ELG光電二極管陣列是16個(gè)元件光電二極管陣列,AXUV20ELG多元素陣列是20個(gè)元素的陣列,。光電二極管陣列儲(chǔ)存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C,,在氮?dú)夂驼婵障聹囟仁?/span>-20°C~80°C,引線焊接的溫度是260°C,。超過這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長,。隨著時(shí)間的推移,對(duì)低能量輻射和150納米以下波長的響應(yīng)性將受到影響,。距離外殼0.080英寸,,持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子,,以保護(hù)Opto Diode光電探測(cè)器陣列和導(dǎo)線連接,。在拆除蓋子之前,請(qǐng)查看應(yīng)用說明 "AXUV,、SXUV和UVG檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)",。


AXUV16ELG光電二極管陣列的特點(diǎn)
- 40針雙列式封裝
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 保護(hù)性蓋板
在25°C時(shí)的電光特性
AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測(cè)試條件下,,有效面積的典型值是10mm2。當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí),,反向擊穿電壓典型值是25V,。VR=0V時(shí),電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf,。VR=0V測(cè)試條件下,,上升時(shí)間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí),,每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆,。

AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列的特點(diǎn)
- 22針雙列式封裝
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 保護(hù)性蓋板3
AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列在0.75mmx4.1mm的測(cè)試條件下,有效面積的典型值是3mm2,,靈敏度見圖,,當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí),反向擊穿電壓典型值是25V,,最小值是20V,。VR=0V時(shí),電容,最大值是1nF,。VR=0V測(cè)試條件下,,上升時(shí)間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí),,每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆,。

Optodiode的光電探測(cè)器陣列