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美國OptoDiode的分段光電二極管

響應(yīng)性好，噪音低,，OptoDiode分段光電二極管

美國OptoDiode分段光電二極管有紅色增強型和紫外線增強型分段探測器,，AXUVPS7、SXUVPS4,、SXUVPS4C分段探測器存儲和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C,，在氮氣或真空是-20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C,。超過這些參數(shù)的溫度可能會在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長,。隨著時間的推移，對低能量輻射和波長低于150納米的輻射的反應(yīng)性將受到影響,。距離外殼0.080",，持續(xù)10秒。發(fā)貨時帶有臨時蓋子,，以保護(hù)光電二極管和導(dǎo)線連接,。在拆除蓋子之前，請查看OptoDiode,，"IRD檢測器的處理注意事項",。美國OptoDiode分段探測器光子響應(yīng)性好，噪音低,，是電子檢測的理想選擇,。

ODD-3W-2分段光電二極管的特點

- 紅色增強型

- 低噪音

- 高響應(yīng)

- 高分流電阻

- 扁平的TO-5封裝

在VR=5 V測試條件下，暗電流典型值是0.9na,，最大值是5na,。VR=10 mV， 分流電阻的典型值是300歐姆,。當(dāng)VR=0 V, f=1MHz,，結(jié)點電阻是30pF,，當(dāng)VR=10 V, f=1MHz時結(jié)點電阻是7.5pF。光譜應(yīng)用范圍是250nm-1100nm,。當(dāng)λ=633nm, VR=0V時,，反應(yīng)性最小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W,，當(dāng)λ=900nm, VR=0V時,，反應(yīng)性最小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W,。當(dāng)IR=10μA,，擊穿電壓最小值是25V，典型值是60V,。當(dāng)VR=0V, λ=950nm時,，噪聲等效功率2.5x10-14 W/√HZ。當(dāng)RL=50Ω, VR=0V,，上升時間典型值為190納秒,，當(dāng)RL=50Ω, VR=10V，上升時間典型值為8納秒,。反向電壓100V,。暗電流與電壓圖同AXUVPS7分段光電二極管相同。

存儲溫度為-55°C~150°C,，工作溫度為-40°C~125°C,，引線焊接溫度是260°C。

SXUVPS4分段二極管的特點

- 圓形有效區(qū)域（4個象限）

- TO-5,，5引腳封裝

在R.049(1.25mm)測試條件下,，SXUVPS4分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2。當(dāng)VR為±10mV時,，分流電阻最小值為100歐姆,，當(dāng)IR=1µA時，反向擊穿電壓最小值是20V,。VR=0V時,，電容的最大值是500pF。當(dāng)VR=0V, RL=500Ω,，上升時間最大值是1微秒,。存儲和工作溫度與AXUVPS7分段光電二極管相同。

SXUVPS4C分段光電二極管

TO-5,，5引腳封裝,，SXUVPS4C分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2，在波長254nm時,，響應(yīng)性是0.02A/W,。VR=±18V,，暗電流典型值是1nA，最大值是100nA,。當(dāng)R=1µA時,，反向擊穿電壓最小值是20V,。VR=0V,，電容典型值是100pF，最大值是300Pf,。VR=0V時,，上升時間典型值是1微秒。Vf=±10mV時分流電阻是100歐姆,。電容與電壓是反比的關(guān)系,，暗電流與電壓是正比的關(guān)系。

AXUVPS7分段光電二極管的特點

- 是電子檢測的理想選擇

- 圓形有效區(qū)域

AXUVPS7分段光電二極管在25°C時的電光特性,，有效面積的典型值是36.5mm2,。響應(yīng)性的最小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W,，最大值是0.09A/W,。當(dāng)VR為±10mV時，分流電阻最小值為10歐姆,，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時,，反向擊穿電壓最小值是5V。VR=0V時,，電容的典型值是2nF,最大值是6nf,。當(dāng)VR=2V, RL=50Ω，上升時間最大值是2微秒,。

美國OptoDiode的分段光電二極管